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氢化非晶硅薄膜的热导率研究!
第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 ) (%%@ , , , 1XB 8) AX 8 P3N (%%@ ( ) $%%%4*(+%U(%%@U) % U*$(#4%# V0:V .7W5;0V 5;A;0V (%%@ 0Y6, 8 .YNH 8 5XJ 8 氢化非晶硅薄膜的热导率研究! ! 李世彬 吴志明 袁 凯 廖乃镘 李 伟 蒋亚东 (电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都 #$%%’ ) ( 年 月 日收到; 年 月 日收到修改稿) (%%) # *% (%%) + $’ 采用铂电极为加热电阻,研究了厚度为 — 等离子体化学气相沉积( )工艺制备的氢化非晶硅 *%% *)% ,- ./012 ( :)薄膜的热导率随衬底温度的变化规律 用光谱式椭偏仪拟合测量薄膜的厚度,得到了沉积速率随衬底温度 3456 7 8 变化规律,傅里叶红外( )表征了在 晶片衬底上制备的 : 薄膜的红外光谱特性, 原子团键合模的震 9:; =? 3456 7 567 动对热量的吸收降低了薄膜热导率 从动力学角度分析了薄膜热导率随平均温度升高而增大的原因,并比较了声 8 子传播和自由电子移动在 : 薄膜热导率变化上的作用差异 3456 7 8 关键词:非晶硅,热导率,薄膜,热能 : , !## #@ )’*%/ [ ] [ ] [ ] $% $$ $( 量热法 ,热脉冲技术 及瞬时热反射法 8 这些 $O 引 言 方法都需要特殊的设备而且只适用于厚度超过$ - ! 的金属薄膜 本文提出一种测量 工艺制备的 8 ./012 氢化非晶硅( :)近年来广泛应用在太阳能
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