TVS管—硅瞬态电压抑制器IOCE概述.PDF

TVS 管—硅瞬态电压抑制器 IOCE TVS 管具有超快速响应速度 （皮秒级）、低箝位电压和较大浪涌电流吸收能力等特点，广泛应用于二级电 源和信号电路的保护和防静电，保护半导体及敏感器件如IC、MOS 管等敏感元器件。 概述 TVS 管——硅瞬态电压抑制二极管 TVS管是电子电路中抑制瞬态干扰的常用电子元件 关于瞬态干扰 瞬态干扰——短暂的高能量脉冲，时间很短幅值很大的电磁干扰。 常见瞬态干扰 瞬态干扰会在电路中产生瞬态过电压 瞬态干扰产生的瞬态过电压会危害电子设备， 要想办法消除或抑制。 良好的电子设计应使电子设备/ 电路具备抗瞬态干扰能力，包括： 抗浪涌 （Surge） 抗静电放电 （ESD - Electro-Static Discharge） 抗电快速瞬态脉冲 （EFT - Electrical Fast Transients ） 常用瞬态干扰抑制元件 气体放电管 （GDT） TSS ） 固体放电管 （ 金属氧化物压敏电阻 （MOV） 硅瞬态电压抑制器 （TVS 管） 以上各种瞬态干扰抑制元件在性能上各有差异和优缺点，如能量吸收能力强的气 体放电管反应速度却很慢，TVS 管吸收能力比较弱但反应速度却相当快。 TVS 管在电子电路的精密保护中被广泛应用。 TVS 管种类 表面贴装型 引线型 阵列型 TVS 管原理与结构 TVS 管是一种二极管形式的器件 ,有双向和单向两种 核心结构 TVS 管与常规硅稳压二极管原理相同，利用PN 结反向击穿“雪崩效应”稳定电 压。 TVS 核心结构——P/N 结 TVS 管的电气特性由晶片基本性能、P-N 结面积和掺杂浓度决定的。与稳压管 比，TVS 管在结构上有如下特点： (1) 有较大的结面积，以提高通流能力。 (2) 以钨钼等特殊材料制成散热片，利于元件吸收较大的瞬态功率 (3) 寄生电容较大，高频使用受限制，或需串联其他元件解决。 TVS 管性能特点 TVS 管受到瞬态高能量冲击时，两极间高阻抗快速变为低阻抗，把干扰能量导 地，从而有效的保护电路中其他元器件免受浪涌脉冲的损坏。 TVS 管伏安曲线 单向型TVS 管伏安曲线 单向TVS 管有极性，一般适用于直流电路 双向型TVS 管伏安曲线 双向TVS 管无极性，但制造成本高，一般交流电路中采用。 TVS 管对瞬态电压响应波形图 贴片TVS 管主要参数 体积尺寸 TVS 管体积与额定峰值功率相关，功率越大，体积越大。 贴片TVS 管长-宽-厚及范围值 额定直流工作电压 R V V 是TVS 管击穿之前的临界电压。在额定温度范围，只要外加电压不大于V ， R R TVS 管就会保持开路状态。 常规TVS 管V 范围：5.0~450 （V） R 击穿电压 BR V VBR 是指在规定恒流I （1 mA）下测试，TVS 两端的电压值。 T VBR VR 一般地，VBR ≈ 1.18*VR 例如额定电压 VR 12V 时 击穿电压 VBR 1.18*12V 14.16V 箝位电压VC 当TVS 管中通过额定峰值大电流 IPP （0.5~500A 不等）时，测得管子两端 的电压。 V V V C BR R