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有机薄膜衬底ITO透明导电膜的结构和光电特性3
第 19 卷第 10 期 半 导 体 学 报 . 19, . 10 V o l N o 1998 年 10 月 . , 1998 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S O ct 有机薄膜衬底 ITO 透明导电膜 的结构和光电特性 赵俊卿 马 瑾 李淑英 马洪磊 ( 山东大学光电所 济南 250100) - 2 摘要 我们用反应蒸发法在氧分压 2 ×10 Pa、衬底温度 80～ 240 ℃条件下蒸发铟锡合金, 在 有机薄膜衬底上制备出 ITO 膜, 并研究了其结构和光电特性随制备衬底温度的变化. 制备膜 ( ) 2 - 1 - 1 ( ) 的最佳取向为 111 方向, 迁移率为 20 7～ 367 · · , 载流子浓度为 17～ 4 4 × cm V s 20 - 3 - 4 10 , 适当调节制备参数, 可得电阻率为 663 ×10 · 、在可见光区透过率达 82% 的 cm cm 有机薄膜衬底 ITO 膜. PACC: 8115G, 7360F , 7865 1 引言 锡掺杂的三氧化二铟( ITO ) 薄膜是一种重要的光电子信息材料, 优异的光电性能使其 在太阳能电池、液晶显示器、热反射镜等领域得到了广泛的应用. 以玻璃为衬底的 ITO 膜已 经得到了广泛的研究和应用. 近年来, 对柔性衬底 ITO 膜的研究引起了国际上的高度重视. 柔性衬底 ITO 膜具有许多独特的优点, 如可挠曲、重量轻、耐冲击、易于大面积生产等, 而且 经过努力可以实现如同玻璃衬底那样的光电特性, 因而应用前景更为广阔. 由于有机材料等柔性衬底不耐高温, 因此 ITO 膜必须在低温下制备. 目前文献报道的 [ 1 ] 低温制备 ITO 膜的方法多为磁控溅射法. Ch iou 等 用射频磁控溅射法制备的聚丙稀衬底 [ 2 ] ITO 膜, 制备温度小于 65 ℃, 平均透过率达 83%. M ukherjee 等 用反应磁控溅射法得到电 - 4 ( ) [ 3 ] 阻率为 68 ×10
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