多孔硅荧光谱双峰结构的研究pdf1201Kb.PDFVIP

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2018-08-17 发布于天津
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多孔硅荧光谱双峰结构的研究pdf1201Kb

第 41 卷　第 2 期 ( ) Vol. 41 　No. 2 厦门大学学报自然科学版　2002 年 3 月 Journal of Xiamen University (Natural Science) Mar. 2002 　 ( ) 文章编号 2002 多孔硅荧光谱双峰结构的研究 1 1 1 2 1 1 陈松岩 ,何国荣 ,陈小红 ,韩建军 , 林爱清 , 陈丽蓉 ( 1. 厦门大学物理与机电工程学院 ,福建厦门 361005 ; 2. 黑河市西沟水电有限责任公司 ,黑龙江黑河 164300) ( ) ( ) 摘要 : 采用阳极腐蚀法制备了多孔硅 PS ,用原子力显微镜 AFM 照片对其表面和结构做了分析 ,观察到多孔硅纳米 ( ) ( ) 尺寸的微结构 ;并进行了多孔硅层 PSL 的光致发光谱 PL 测量 ,观察到 PL 谱峰的”蓝移”和双峰现象 ,符合量子尺寸效应和发光中心理论 ,红外吸收谱进一步证明了发光中心的存在. ( ) ( ) 关键词 : 多孔硅 PS ; 红外吸收谱 IR ; 量子效应 ; 蓝移中图分类号: O 472 ;TN 304 文献标识码 :A 　　　　　　　　　　　　　　　　　多孔硅室温下可见光范围内的高效发光特性引表面进行观测 ,用 WDGJ 1 型光栅单色仪测量了样品发了硅基光电集成的研究热潮. 但是尽管对多孔硅的多孔硅的荧光光谱. 长期研究取得了重大进展 ,其形成机理、发光机制仍 2 　结果与讨论需要进一步研究论证. 本文用阳极腐蚀法制备了多孔硅 ,并用AFM 对其表面和截面进行观察测量 ,可直观图 1 是多孔硅表面膜层的 AFM 照片. 由图可见, 的观察到多孔硅的量子尺寸结构 ,用量子效应和发光多孔硅表面呈冰川状 ,有无数个高低粗细不同的峰状中心理论对PL 曲线的性质 ———“蓝移”和双峰现象做突起 ,其突起部分即为硅的晶丝 ,形成的山谷状凹槽了探讨. 多孔硅微结构和光荧光激发机制的研究 ,为即为腐蚀出来的孔洞 ,膜层厚约 40 nm. 晶丝直径约 ( 硅基光电集成电路的发展提供了参考.