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低温多晶矽膜再结晶特性与晶粒尺寸之光学检测系统-先进工程学刊
先進工程學刊第六卷 第一期 31 Journal of Advanced Engineering Vol. 6, No. 1, pp. 31-37 / January 2011 低溫多晶矽膜再結晶特性與晶粒尺寸之光學檢測系統研發 Rapid Optical Measurements on Recrystallization Characterization and Grain Size of Polycrystalline Silicon * 郭啟全 趙金聖 * Chil-Chyuan Kuo , Chin-Sheng Chao 摘要 本文運用He-Ne雷射 (λ = 632.8 nm) 為檢測光源 (probe laser) ，搭配光學檢 測系統，發展一套低溫多晶矽膜之晶粒尺寸與再結晶特性之光學檢測技術，藉由 檢測光源經過不同準分子雷射能量密度照射矽膜後圖樣 (pattern) 之不同熔化區 域 (regime) ，觀察穿透率變化與峰值強度，進而推測出低溫多晶矽膜之再結晶特 性與晶粒尺寸。 關鍵詞 ：低溫多晶矽膜，晶粒尺寸，再結晶特性，光學檢測系統 Abstract An optical inspection system with simple optical arrangements for rapid measurement of recrystallization characterization and grain size of poly-Si thin films is developed in this study. The recrystallization characterization of the sample after excimer laser annealing can be easily manifested directly by the profile of peak power density distribution. The relation between the maximum grain size of poly-Si thin films and transmission of the optical measurements is investigated, which is found to coincide with the observation by field-emission scanning electron microscopy. Keywords : low-temperature polycrystalline silicon, grain size, recrystallization characterization, optical measurements I. 導論 膜電晶體的高驅動電流特性與高通道移動率正好符合有 於玻璃基板上製作性能優良的電晶體乃是半導體元 機發光
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