Ge掺杂碳化硅晶体的生长缺陷.pdf

第31卷第11期 无机材料学报 v01．31No．1l 2016年11月 Journalof Materials NOV．．2016 Inorganic 1-1166．05 文章编号：1000．324X(2016)1 Ge掺杂碳化硅晶体的生长缺陷 张福生1 陈秀芳1一，崔潆心1，肖龙飞1谢雪健1，徐现刚1‘2，胡小波1，2 曼光谱(Raman 着生长过程中Ge浓度的降低快速地转回6H．SiC稳定生长。用LEXT显微镜观察发现，生长初期过高的Ge掺杂导 致空洞明显增多，位错密度增加，掺杂晶体中位错密度较非掺晶体增大一倍。HRXRD分析表明掺Ge能增大SiC 晶格常数，这将有利于提高与外延III族氮化物材料适配度，并改善器件的性能。 关键词：物理气相传输法；Ge掺杂；SiC晶体；晶格常数 中图分类号：TB34文献标识码：A DefectsinGe SiC Crystals Doped ZHANG Ying—Xinl，XIAOLong．Feil， Fu．Shen91，CHENXiu．Fan912，CUI XIE Xiao．B012 Xue．Jianl，XU Xian—Gan91一，HU InnovationCenter (1．StateLaboratory University,Jinan250100，China；2．Collaborative Key ofCrystalMaterials，Shandong forGlobal EnergyInterconnection(Shandong)，Jinan250061，China) Abstract：2-inchGe and SiC were and dopedundopedcrystalsgrownbyphysicalvapor characterized ionmass bysecondary spectrometry(SIMS)，Raman scanning confocal resolution resultsshowedthat microscope(LEXT)，highX-raydiffxactometry(HRXRD)．Theexperimental theelementGewas into6H·SiC with level to effectivelydoped crystaldopingreachingup Geconcentrationin dueto source and crystalgrowth，the crystalgraduallydroppedimpuritydepletionleakage．Raman