第7章-复旦大学半导体器件物理.pdf

章节 第一章 引言 第二章 半导体器件物理基础 第三章 MOS FET 基本结构和原理 第四章 短沟道MOS 器件 第五章 存储器件基础（不挥发挥发） 第六章 异质结器件与功率器件 第七章 SOI 器件 第八章 纳米尺度器件及芯片加工技术 Dr. P.-F. Wang Advanced semiconductor devices and physics 2010.11 Fudan University 章节  SOI 技术介绍  SOI 器件的各种效应  SOI 的应用 Dr. P.-F. Wang Advanced semiconductor devices and physics 2010.11 Fudan University 章节  SOI 技术介绍  SOI 器件的各种效应  SOI 的应用 Dr. P.-F. Wang Advanced semiconductor devices and physics 2010.11 Fudan University Silicon / semiconductor on Insulator (SOI) Si semiconductor Oxide (Burried oxide, BOX) insulator Si substrate  减少漏电流的通道，降低漏电流。  减少寄生电容，优化亚阈值摆幅，加快电路速度。 Dr. P.-F. Wang Advanced semiconductor devices and physics 2010.11 Fudan University SOI材料的制造方法 1. 在绝缘体上生长半导体材料：在兰宝石SOS上生长Si。 2. 在Si衬底上长SiO2膜,(刻出硅窗口)，然后再生长Si膜 ，再激光退火结晶。 3. SIMOX 4. Smart cut 下面为其流程 H implant Wafer binding Bubble formation CMP Wafer-2 Dr. P.-F. Wang 要求：1. 必须在绝缘衬底上生长无缺陷的Si单晶； Advanced semiconductor devices and physics 2010.11 Fudan University 2. 硅－绝缘体界面有最小机械应力，最小表面态. SOI MOSFET L = 65 nm g 75 mV/dec 95 mV/dec DST (Depleted Substrate Transistor) Fully Depleted (FD-) SOI MOSFET