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MWT背接触组件的抗衰减优势 目 录 一、MWT背接触技术介绍 二、实验设计 三、结果及分析 四、总结 一、MWT背接触技术介绍 MWT背接触技术 主要特点：  在电池上设计贯穿电池片的孔洞  用导电浆料将这些空洞填充并引到电池的背面  背面的相应区域与背电场进行隔离 MWT （Metal Wrap-through, 金属缠绕）技术 背接触电池技术的特点： 无主栅线 ，遮光更少 ，转换效率更高 成本更低 ，节省银浆 适合于更薄硅片 与其它技术兼容性好 外表更加美观 背接触组件的结构特点 常规组件 MWT组件 互联条连接 金属导电背板 存在焊接应力，影响可靠性 无应力，可靠性好 组件封装损失大 组件封装损失小 封装密度低 封装密度高 外观单一 外观美观 Mc-Si MWT module Mono-Si MWT module 二、实验设计 项目的技术创新性 1. 实验考虑 常规多晶组件与MWT背接触多晶组件的对比 安装前与运行一年后的组件性能比较 测试系统误差的考虑 2. 实验过程 于2014年8月分别利用合格质量的10个常规多晶组 件（6 ×10）和10个MWT背接触多晶组件（6 ×10） 安装的两套小系统。 在系统安装之前，在完全一样的测试条件下分别对 每个组件的各性能参数进行了测试。 系统经过一年的运行后，于2015年8月将所有组件 全部从系统中撤下并在完全一样的测试条件下对每个 组件再次进行各性能参数的测试。 三、结果和分析 1. 测试系统偏差确定 为了验证测试系统的可靠性，在对这些运行了一年的组 件进行测试之前，另外安排5个MWT多晶组件按顺序进 行测试，并重复4次。根据这些重复测试数据，可以确 定测试系统的最大偏差。 Voc(V) Isc(A) Pm(W) FF(%) η(%) 测试一 38.129 9.351 269.654 75.630 16.980 测试二 38.167 9.351 269.711 75.570 16.990 组件A 测试三 38.155 9.356 269.890 75.610 17.000 测试四 38.143 9.359 270.0