关于MOSFET选型.pdfVIP

MOSFET production introduction MOSFET production introduction MMOOSSFFEETT pprroodduuccttiioonn iinnttrroodduuccttiioonn Prepared by: Analog team WW29 2010 ’ Agenda: Agenda: AAggeennddaa:: MOSFET基本知识介绍 MOSFET基本知识介绍 � MMOOSSFFEETT基基本本知知识识介介绍绍 1. 什么是MOSFET 2. MOSFET的结构 3. MOSFET的工作原理 4. MOS的基本参数 5. MOSFET的优缺点 6. MOSFET的选取 如何读懂并理解MOSFET的Datasheet 如何读懂并理解MOSFET的Datasheet � 如如何何读读懂懂并并理理解解MMOOSSFFEETT的的DDaattaasshheeeett MOS基本知识介绍 1. 什么是MOSFET 1. 什么是MOSFET 11.. 什什么么是是MMOOSSFFEETT 金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称全氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效 “ ” 晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其 通道 的极性不同，可分为n-type 与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET。 2. MOSFET的结构 2. MOSFET的结构 22.. MMOOSSFFEETT的的结结构构 图1是典型平面N沟道增强型MOSFET的剖面图。它用一块P型硅半导体材料作衬底(图la)，在其 面上扩散了两个N型区(图lb)，再在上面覆盖一层二氧化硅(SiQ2)绝缘层(图lc)，最后在N 区上方用腐蚀的方法做成两个孔，用金属化的方法分别在绝缘层上及两个孔内做成三个电 极：G(栅极)、S(源极)及D(漏极)，如图1d所示。 　　从图1中可以看出栅极G与漏极D及源极S是绝缘的，D与S之间有两个PN结。一般情况下， 衬底与源极在内部连接在一起。 　　图1是N沟道增强型MOSFET的基本结构图。为了改善某些参数的特性，如提高工作电流、 提高工作电压、降低导通电阻、提高开关特性等有不同的结构及工艺，构成所谓VMOS、 DMOS、TMOS等结构。 图2是一种N沟道增强型功率MOSFET的结构图。 MOS基本知识介绍 3. MOSFET的工作原理 3. MOSFET的工作原理 � 33.. MMOOSSFFEETT的的工工作作原原理理 使增强型N沟道MOSFET工作，要在G、S之间加正电压VGS及在D、S之间加正电压VDS，则产 ↑ ↑ 生正向工作电流ID。改变VGS的电压可控制工作电流ID。如图3所示（上面↑↑）。 　　若先不接VGS(即VGS＝0)，在D与S极之间加一正电压VDS，漏极D与衬底之间的PN结处于 反向，因此漏源之间不能导电。如果在栅极G与源极S之间加一电压VGS。此时可以将栅极 与衬底看作电容器的两个极板，而氧化物绝缘层作为电容器的介质。当加上VGS时，在绝 缘层和栅极界面上感应出正电荷，而在绝缘层和P型衬底界面