ch2 分子束外延.pdf

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2017-09-29 发布于湖北
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ch2 分子束外延

半导体材料制备与分析技术 ch2-4 MBE 主讲：郭伟玲半导体材料制备与分析技术 ch2-4 MBE 主讲：郭伟玲作业作业 1. 简述MOCVD生长技术原理 1. 简述MOCVD生长技术原理 2. 给出MOCVD源材料的特点和要求 2. 给出MOCVD源材料的特点和要求 3. 预习MBE生长技术内容，比较MOCVD和 3. 预习MBE生长技术内容，比较MOCVD和 MBE，给出MOCVD技术的优势和缺点。 MBE，给出MOCVD技术的优势和缺点。下周2前发送电子版到信箱（主题写MOCVD 下周2前发送电子版到信箱（主题写MOCVD 作业）： guoweiling@bjut.edu.cn 作业）： guoweiling@bjut.edu.cn 或交纸质版到我办公室或交纸质版到我办公室 1 2 现代半导体材料制备与分析技术 ch2-4MBE 主讲：郭伟玲 3/74 半导体材料制备与分析技术 ch2-4 MBE 主讲：郭伟玲 /74 目录分子束外延目录分子束外延一、MBE概述 MBE （Molecular Beam Epitaxy）一、MBE概述 MBE （Molecular Beam Epitaxy）二、MBE生长原理二、MBE生长原理三、MBE样品制备要求三、MBE样品制备要求四、MBE技术的发展四、MBE技术的发展五、MBE的应用五、MBE的应用六、MBE设备制造商六、MBE设备制造商 3 4 半导体材料制备与分析技术 ch2-4 MBE 主讲：郭伟玲半导体材料制备与分析技术 ch2-4 MBE 主讲：郭伟玲一、MBE概述一、MBE概述一、MBE概述一、MBE概述 MBE是基于超高真空的精确的蒸发系统（真分子束外延的英文缩写为ＭＢＥ，这是一种在晶体基