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高级硬件工程师常思考的四个问题 实际设计时面临的问题、考虑的因素比这里列出的多得多。罗马不是一天建成的，所以需要 日积月累的。 异常情况的思考 1 电流倒灌 集成电路的典型模型如下： A、 D1在大多数CMOS集成电路中起着防静电功能.同时辅助起着输入端限 幅作用。但是在ABT,LVT,LVC和AHC/AHCT类集成电路中无此二极管。 B、D2是半导体集成所产生的寄生二极管(存在于所有数字集成电路),其辅 助功能为对线路反射的下冲信号进行限幅，提供一些放电保护功能。 C、D3用于保护CMOS 电路在放电时的干扰。在大多数双极**件中也存在此 二极管，但为寄生二极管。在集电极开路和三态输出的双极**件中无此二极 管。 D、D4在所有集成电路中均存在此二极管。它是器件的集电极或漏极的二极 管。在双极**件中还附加了一个肖特基二极管对线路反射的下冲信号进行限 幅。在CMOS 电路中附加了二极管以增加防静电功能。 电流倒灌产生的原因： 当使用CMOS型器件作为接口芯片在如下图所示的电路中使用时，如果Vcc2断电，Vcc1继 续供给G1，G1的高电平输出电流将通过D1向Vcc2上的电容充电（该充电电流将使D1迅速 过载并使其损坏。CMOS器件中D1只能承受20mA 的电流）并在Vcc2上建立一电压，该电压 使使用Vcc2供电的其它电路工作不正常，特别使可编程器件。 解决措施： 如图 （a）：在信号线上加一个几欧姆的限流电阻，可防止过流损坏二极管D1，但不能解决 灌流在Vcc上建立电压； 如图 （b）：在信号线上加二极管D3及上拉电阻R，D3用于阻断灌流通路，R解决前级输出 高电平时使G1的输入保持高电平。此方法即可解决灌流损坏二极管D1的问题，又可解决灌 流在Vcc上建立电压。缺点是二极管D3的加入降低了G1的低电平噪声容限； 如图 （c）：在G1的电源上增加二极管D7。缺点是前级输出高电平时，G1通过D1获得电压 并从输出高电平给后级电路。同时降低了G1的供电电压，使其在正常使用时高电平输出电 压降低。 有效的解决方法是使用双极型的器件 （如LS器件，ABT器件）作为接口，由于双极型器件 没有保护二极管D1存在，故不存在上述灌流通路。需要注意的是这时接口的输入、输出信 号线上不能加上拉电阻 （双极型器件输入悬空当高电平对待）。 2、 热插拔设计 Ø 热插拔对电源的影响 电路板上电或热插拔时会从电源拉出很大的启动电流并导致电源电压的波动，此现象控制不 当将影响系统中其它电路的正常使用，甚至导致整个系统的损坏。 热插拔电路的最低要求是提供浪涌电流限制，防止在大的容性负载加电时整个系统损坏。限 流功能还有助于减小供电电源的尺寸，并防止在连接器接触时产生电弧。其它热插拔特性还 包括：低等效串联电阻、断路器、状态指示、双**点检测和电源就绪指示。 目前我公司的产品除个别处理机对电源采取上电限流措施外，其余电路板使用PTC对负载过 流进行限制，但没有上电限流措施。 最简单的限流元件是保险丝，它可以单独使用或与其它保护元件配合使用，由于保险丝可以 有效地防止过流的冲击，它们在系统中既是必须的(如UL 标准的规定)，也是系统遇到灾难 性故障时的最终防线。标准保险丝的主要缺陷是只能一次性使用，另外一种可替代的小型器 件是多重保险丝，这种保险丝的物理尺寸可以根据流过其自身电流所产生的热量而膨胀或缩 短，多重保险丝的工作电压范围受温度的限制，但它能够自复位，这是相对于标准保险丝的 最大优点。 普通热插拔电路由电容、齐纳管和FET 构成，如下图所示。通过对连接在Q1 栅、源极之间 的电容C1 充电达到限制浪涌电流的目的。如果上电期间C1 放电，Q1 的栅极与源极相当于 短路，Q1 将维持开路。C1 充电时，Vgs增大，Q1 缓慢开启。C1 的大小和Q1 的Vgs指标 确定了Q1 的开启时间和负载电容C2 的充电时间。齐纳管ZD1 用于防止栅-源电压超出其 最大额定值。 Ø 接口IC 的热插拔 电路板上电或热插拔时如果处理