结构参数对gan肖特基紫外探测器性能的影响及器件设计-发光学报.pdfVIP

结构参数对gan肖特基紫外探测器性能的影响及器件设计-发光学报.pdf

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第卷第期发光学报年月文章编号结构参数对肖特基紫外探测器性能的影响及器件设计周梅赵德刚中国农业大学理学院应用物理系北京中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京摘要研究了肖特基结构紫外探测器的结构参数对器件性能的影响机理模拟计算结果表明提高肖特基势垒高度和减小表面复合速率不仅可以增加器件的量子效率而且可以极大地减小器件的暗电流适当地增加层厚度和载流子浓度可以提高器件的量子效率但减小层的载流子浓度却有利于减小器件的暗电流我们针对实际应用的需要提出了一个优化器件结构参数的设计方案特别是如果实

第30卷 第6期 发 光 学 报 Vol30 No6 2009年12月 CHINESEJOURNALOFLUMINESCENCE Dec.,2009 文章编号:10007032(2009)06082408 结构参数对 GaN肖特基紫外探测器性能的影响及器件设计 1 2 周

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