存储器分类与组成随机存取存储器(RAM).pptVIP

主要内容 存储器分类与组成 随机存取存储器 (RAM) 只读存储器 (ROM) 存储器的连接;;按与CPU连接方式不同分为：内存储器和外存储器。 通过CPU的外部总线直接与CPU相连的存储器称为内存储器（简称内存或主存）。 CPU要通过I/O接口电路才能访问的存储器称为外存储器（简称外存或二级存储器）。 按存储器信息的器件和媒体不同分为：半导体存储器、磁表面存储器、磁泡存储器和磁芯存储器以及光盘存储器等。; 存储容量;1KB = 1024B 1MB = 1024KB 1GB = 1024MB ; 存取时间; 功耗;TTL 器件，工作电源为 +5V MOS 器件，工作电源为 +1.5V ~ +18V; 价格;按使用的功能分两类： 随机存取存储器 RAM (Random Access Memory) 只读存储器 ROM (Read Only Memory)。;;RAM按工艺可分为：双极型RAM和MOS RAM两类。;静态RAM：集成度高于双极型RAM，低于动态RAM。功耗低于双极型RAM；不需要刷新电路。 速度较快，集成度较低，一般用于对速度要求高、而容量不大的场合。;只读存储器ROM按工艺可分为双极型和MOS型， 但一般根据信息写入的方式不同，而分为:;固定ROM (掩模ROM)：厂家把数据“固化”在存储器中，用户无法进行任何修改。使用时，只能读出，不能写入。 用于大批量定型产品 。;5. 快闪存储器 (Flash Memory)：采用浮栅型MOS管，存储器中数据的擦除和写入是分开进行的，数据写入方式与EPROM相同，一般一只芯片可以擦除/写入100万次以上。 是一种不需要电力就能保存资料的可重写的记忆体。市面上的储存卡、U盘、MP3播放器、数码照相机和部分手机都是使用闪存。;组成：存储体、地址选择电路、输入输出电路、控制电路;存储信息1或0的电路实体，由许多存储单元组成，每个存储单元赋予一个编号，称为地址单元号。 每个存储单元由若干相同位组成，每个位需要一个存储元件。 存储器的地址用一组二进制数表示，其地址线的位数n与存储单元的数量N之间的关系为： ;包括地址码缓冲器，地址译码器等。;地址译码方式有两种： 单译码方式（或称字结构）;双译码方式（或称重合译码）;半导体存储器的组成;包括读/写放大器、数据缓冲器（三态双向缓冲器）等，是数据信息输入和输出的通道。 外界对存储器的控制信号有读信号（RD）、写信号（WR）和片选信号（CS）等，通过控制电路以控制存储器的读或写操作以及片选。 只有片选信号处于有效状态，存储器才能与外界交换信息。;由6个MOS管组成的RS触发器。信息暂存于T1, T2栅极上。;2. 静态RAM组成 (4Kx1位);静态RAM芯片有2114、2142、6116、6264等。 例如：常用的Intel 6116 是CMOS静态RAM芯片，双列直插式、21引脚封装。它的存储容量为2K×8位，其引脚及内部结构框图如图5.7所示：;2Kx8;动态RAM芯片是以MOS管栅极电容是否充有电荷来存储信息的，其基本单元电路一般由四管、三管和单管组成，以三管和单管较为常用。 由于它所需要的管子较少，故可扩大每片存储器芯片的容量，并且其功耗较低，所以在微机系统中，大多数采用动态RAM芯片。;由3个管子和2条字选择线，2条数据线组成。;对于三管动态基本存储电路，即使电源不掉电，Cg电荷也会在几毫秒之内逐渐泄漏掉，而丢失原存1信息。 为此，必须每隔1ms~3ms定时对Cg充电，以保持原存信息不变，即动态存储器的刷新（或叫再生）。;由T1管和寄生电容Cs组成。;2. 动态RAM芯片举例;Intel 2116 芯片存储容量为16Kx1位，需要14条地址输入线，但2116只有16条引脚。 由于受封装引线的限制，只用了A0到A6 7条地址输入线，数据线只有1条(1位)，而且数据输入(DIN)和输出(DOUT)端是分开的，有各自的锁存器。 写允许信号WE为低电平时表示允许写入，为高电平时可以读出。 需要3种电源。 类似芯片：2164，3764，4164等DRAM芯片。;x;动态基本存储电路所需管子数目比静态要少，提高了集成度，降低了成本，存取速度快。 由于要刷新，需增加刷新电路，外围控制电路比较复杂。 静态RAM尽管集成度低些，但静态基本存储电路工作较稳定，也不需要刷新，所以外围控制电路比较简单。 究竟选用哪种RAM，要综合比较各方面的因素决定。;ROM存储元件可看作是一个单向导通的开关电路。 当字线上加有选中信号时: 如果电子开关Ｓ是断开的，位线Ｄ上将输出信息１； 如果Ｓ是接通的，则位线Ｄ经T1接地，将输出信息0。;与RAM相似，ROM由地址译码电路、存储矩阵、读出电路及控制电路等部分组成。;不可编程掩模