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基于半导体光放大器的非相干光源抗反膜的优化设计3n-Journalof
第 27 卷 第 8 期 半 导 体 学 报 Vol . 27 No . 8
2006 年 8 月 C H IN ES E J O U RN AL O F S EM I CON D U C TO RS Aug . ,2006
基于半导体光放大器的非相干光源
抗反膜的优化设计
黄黎蓉 黄德修 张新亮
( 华中科技大学武汉光电国家实验室 , 武汉 430074)
( ) ( )
摘要 : 对半导体光放大器 SOA 放大的自发发射 A S E 谱进行了实验和理论研究, 并且分析了SOA 端面反射率对
A S E 谱的谱宽以及平坦度的影响. 结果表明, 不恰当的抗反膜会严重减小输出光谱的带宽; 而在采用具有宽带材料
增益谱的有源区基础上 , 结合抗反膜的优化设计 , 则可以获得既宽又平坦的非相干光源.
关键词 : 半导体光放大器; 非相干光源; 带宽; 平坦度; 抗反膜
PACC : 4255 K ; 4280 X ; 4280S
中图分类号 : TN 248 1 文献标识码 : A 文章编号 : 02534 177 (2006) 08147 105
节的载流子浓度为 N i , 则在第 i 段的载流子速率方
1 引言 程和光传输方程分别如下[ 2 ] :
d N i J 2 3
= - ( AN i + BN i + CN i ) - Rsp , i ( 1)
具有宽带谱特性的非相干光源 , 与光谱分割技 d t e d
+ (λ ) Γβ 2
术相结合 , 有望在光接入网和城域网中取代多个不 S , z + BN i
( Γ(λ ) α) ( λ )
= g , z - S , z +
同波长的半导体激光器 , 从而大大降低系统的复杂 z V g
度和成本. 对于这种非相干光源来说 , 不仅希望输出 (2)
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