锗硅外延工艺的调试和优化 57页.pdfVIP

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2017-09-11 发布于河北
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锗硅外延工艺的调试和优化 57页.pdf

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锗硅外延工艺的调试和优化 57页

目录摘要 Abstract 引日第一章导论 1．1HBT SiGe技术发展一8 1-2锗硅外延的性质 10 1．2．1锗硅的晶体结构 10 1．2．2应变与弛豫 1l 1．2．3临界膜厚 13 1．2．4器件用锗硅的基本结构 14 1．3SiGe生长技术 16 1．3．1表面带0备～一一…一…一——…一一一——……16 1．3．1．1热脱附清洗技术(Thermal DesorptionCleaning)…一16 1．3．1．2 17 HF—Last清洗 1 1．3．1．3在氢气氛围中的热脱附 8 1．3．2 SiGe薄膜生长反应 19 1．4SiGe HBT的电学特性 9 1．5本文工作的目的和论文内容的安排 1 第二章实验装置介绍及相关参数测试 2 2．1装置介绍 2．1．1腔体加热系统 2．1-2基座旋转系统 2．1．3气体传输系统 2．2相关参数测试 2．2．1腔体温度的校准 2．2．2颗粒 2．2．3本征扩展电阻率形貌 2．2．4 c／o含量和金属离子粘污测试 2．2．5基座中心化的确认 1吃吃坦忽鹳孔筋筋船舱凹勰第三章单一锗组分的锗硅外延 3l 3．1使用程序的描述 ’31 3．2工艺响应确认和工艺优化 32 3．2．1试验设计方案 32 3．2．2实验结果分析 33 3．2．2．1 夏玎J影啊 3．2．2．2 的影响 0II“。111 删 111III 1lI 3．2．2．3 『翱n—TT法旦-‘幽刨曲