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* 载流导体单圆导线直流磁场 导体内磁场 导体外磁场 两根导体外磁场 I H x 0 * 气隙磁芯线圈磁场 x H 0 l lav lg 因为 忽略磁芯磁压降 x a 气隙磁场强度 * 高频电流流过单导线时集肤效应 高频电流流过导体,电流产生的高频交变磁通在导体内产生高频涡流,使得导体内从中心到外表电流分布不均,表面电流密度大,中心电流密度小-集肤效应。 集肤深度: J 0.368 1.000 Δ 20度和100度铜导线Δ分别为 * 集肤效应的结果 减少了导体有效截面积,导线电阻增大,增加了交流损耗。以圆导线为例,交流电阻增加的倍数: 低频时,FR近似等于1,导线损耗为 I-电流有效值;高频时导线损耗: Idc-电流平均值,即直流分量; -交流分量电流有效值;Rac=RdcFR * 变压器的漏感概念 a b c l H x H1 磁场存储能量 磁场也可以表示为 或 x * 减少漏感的措施 较少的匝数N,宽窗口l,较小窗口高度。 分段线圈,‘三明治’安排。但有限制。 (a) (b) (c) (d) 普通磁芯 (e) (f) (g) 平面磁芯 * 相邻高频线圈中的涡流-临近效应 相反方向电流 相同方向电流 IA IA IB IB φB φA φB φA 电流趋向内表面 电流趋向外表面 * 多层线圈的临近效应 H x H1 + + + + + + + + + + + + + + + + 电流趋向内表面 第一层在内表面流通,第二层导线中间没有电流,也没有磁场,因此在第二层外表面必须与第一层内表面相同电流的涡流,因此第二层内表面两倍外表面电流。如果有第三层,…… * 根据集肤深度第一层交流电阻为Rac1=FR1 Rdc 交流损耗 第二层交流电阻:FR2=5 第二层交流损耗 多层中损耗与电流平方成正比,相当于电阻增加。 第n层为 n层线圈总交流电阻增加的倍数 * h=0.86d 直径d的圆导线 铜带 带厚D 层数p Dowell曲线 * 减少交流电阻方法 减少层数:采用分段交错绕。与减少漏感是一致的。 采用多股绞线-利兹线。但是多股绞线的单股直径仅小于2 Δ是远远不够的。 当采用利兹线或铜带时,一般应当做到FR接近1.6就可以了。 Dowell曲线是正弦波电流结果,开关电源中非正弦高频电流引起的损耗更大。工程上只是近似计算,最终由温升决定。 * 线圈设计举例:初级电流中值Ia=20A,占空度为D=0.5,工作频率为90kHz,共10匝。磁芯窗口宽度l=24mm.选择导线尺寸。 Ton T Ia 直流分量 Idc=DIa=10A 总有效值 I= 交流分量 选择电流密度j=4A/mm2,需要的导线截面积 根据导线截面积,导线有多种选择:单股圆导线,2Δ多股线,利兹线和铜带,希望最小的铜损耗。 * 采用单股圆导线,裸线直径d=1.8mm,带漆直径d=1.92mm,90kHz集肤深度Δ=0.254mm。 Q=5.7、单层,由Dowell曲线查得FR=5.7,即交流电阻比直流电阻大5.7倍。前面计算直流分量与交流分量相等,交流电阻比直流大5.7倍,交流损耗太大,不能接受,试试采用d2 Δ=0.508mm。我们采用d=0.47mm * 直径d=0.47mm的圆导线,截面积A= 0.159mm2 ,2.5mm2需要约16股,绞线。 16股绞线相当于4×4,4层和计算出Q=1.38,从Dowell曲线查得FR=8。 比单股交流电阻还大。层数增加交流电阻增加,比面积增加使得电阻减少影响更大。 选择利兹线:0.18×100,相当于10×10, 10层,Q=0.57,查得FR=1.9。这比16股好多了,但还比较大,有两个办法:选择单股更细的导线,或股数更多的更细导线。 * 选择铜带:采用宽度b=20mm ,厚0.125mm ,10匝 即10层。 Q=0.125/0.254=0.5查得FR=1.7,如果取厚度0.1mm,直流电阻增加20%,Q由0.5减少到0.4, FR由1.7减少到1.3,交流电阻减少24%。本例中交流分量有效值与直流相等,总损耗下降,体积也减少。如果将初级分成两段,将次级夹在中间,相当于5层, FR=1.2如果前面的利兹线,50×0.18,将次级夹在中间,相当于7层, Q=0.57,FR=1.6 * 线圈损耗 线圈的交流损耗与直流损耗 直流电阻 交流电阻 直流损耗 交流损耗 线圈损耗 * 被动损耗 1.电磁屏蔽 Δ/3 2
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