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【2017年整理】静电放电应力下深亚微米栅接地NMOSFET源端热击穿机理
年 月 西安电子科技大学学报（自然科学版） !# (! LAJ3!# 第 卷 第 期 ! ! %% # WK3%% ,3# ! ! (#)*!+, #% -./.+! )!.0*$.’1 ! ! ! 静电放电应力下深亚微米栅接地!#$%’源端热击穿机理 朱志炜! 郝 跃! 方建平! 刘红侠 ! !西安电子科技大学 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室陕西 西安 # (( ! 摘要!基于静电放电应力下对深亚微米硅化物工艺栅接地 ,-./012 的研究!考虑了源漏寄生串连 电阻的影响!建立了源漏接触区的电流集中模型 由模型分析表明!不同的温度和掺杂条件下!源漏寄 3 生串连电阻会引起器件源漏接触前端边缘附近产生不同程度的电流集中!在器件源端产生新的热点! 影响了源漏端的击穿特性!很好地解释了栅接地 ,-./012 的源端热击穿机理3 关键词!静电放电#热击穿#接触电阻 中图分类号! 文献标识码! 文章编号! # 2,%4#3( 5 (($!’ !##$)(($# ! ! ! ! !#$%’)’**+,$%*-./$0%’1$,$.2)34.$)51*62$/,)’%2 ’,$ ( 1$$ %-42’/.*$/,*3* 99:;=?@-1$.?=A /*1’’*% 7 (8 # # # !# !$%’(% )*+,( -)./0%12%2 56# 72 8%1 3 4 4 ! # -67689: =1?3@A BCD3=E6AFC7$GC /AI6J7?J9:-C9A:6CK8C7LAM6JA8 ; ; H # # N66C7O76M3 N6PC7 (( QR67C ! $ # B4%.)/ FC8A79RA
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