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电子发烧友 电子技术论坛 第9 卷第5 期 Vol.9 No.5 2006 年5 月 POWER SUPPLY TECHNOLOGIES AND APPLICATIONS May 2006 IGBT 耗计算和损耗模型研究 熊妍 沈燕群 江 剑 何湘宁 渊浙江大学电气工程学院 浙江 杭州 310027冤 摘 要 器件的损耗对系统设计尧器件参数及散热器的选择相当重要遥 损耗模型主要分为两大类院 基于物理结构的IGBT 损耗模型渊physics-based冤和基于数学方法的IGBT 损耗模型遥对近年来的各 种研究情况进行了讨论 并给出了其相应的应用范围遥 关键词 IGBT曰 损耗计算曰 损耗模型 Study on Loss Calculation and Model for IGBT XIONG Yan, SHEN Yan-qun, J IANG Jian, HE Xiang-ning (College of Electrical Engineering, Zheji ang University, Hangzhou Zheji ang 310027, China) Abstract: Power devices loss is important for the system design, the device parameters and the choice of heat sinks. The loss models are divided into two types: one is based on physics, the other is based on mathematics. Several methods in recent years and their applications are discussed. Keywords: IGBT; loss calculation; loss model 中图分类号 TN492 文献标识码 B 文章编号 0219-2713渊2006冤05-0055-06 0 引言 成威胁 以至造成永久性损坏遥 因此 IGBT 的损耗 计算对系统设计尧 器件参数及散热器的选择相当 电力 子器件是电力 子学的基础 是电力 重要遥本文对近年来的各种研究情况进行了讨论 子 路的核心遥 绝缘栅晶体管 渊Insulated Gate 并给出了其相应的应用范围遥 Bipolar Transistor 简称IGBT冤是一种发展迅速尧应 用广泛的 力电子器件遥 它是利用MOSFET 输入 1 功率开关损耗的定义 阻抗高和GTR 输出阻抗低的优点而组合成的新 一个开关周期中消耗在 IGBT 中的能量可以 器件遥 因其开关频率高尧通态电流大等优点 已广 泛应用于各种开关电源尧 马达传动系统及其他能 用下
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