JN单晶生长炉技术资料.docVIP

技 术 文 件 目 录 设 备 技 术 说 明 书 2 一、设备名称 2 二、设备的功能概述 2 三、设备的主要技术参数 3 四、设备的规格书 5 五、设备的制造工艺流程。 12 六、设备的检验验收标准 13 七、设备部件构成表 23 八、设备相关图纸资料 24 1、设备总图 24 2、设备地基图 25 3、电控柜图 26 九、主要进口部件清单表 27 十、 售后服务计划 28 十一、 设计、制造标准 31 十二、 通用制造工艺、检验及验收简介 33 十三、 设备的特殊工艺 36 十四、 质量控制及质量保证 38 十五、 操作界面示意 39 十六、 直流电源技术参数 40  设 备 技 术 说 明 书 一、设备名称 名称：TDR-JN系列单晶硅炉 二、设备的功能概述 TDR-JN系列全自动晶体生长炉具有自主知识产权，是采用直拉法生长单晶硅材料的专用设备。该设备集机械、电气控制、仪表、真空密封、高温压力容器等领域技术于一体，综合了国内外同类产品之优点，结构合理，配置了美国Rockwell Automation公司分布式PAC数字SCADA控制系统及高像素CCD影像视觉采集技术。抗干扰性好，可靠性高，维修方便。自主研发的全自动控制技术填补了国内技术空白，技术水平处于国际先进水平。设备采用电脑控制系统和触摸式屏幕显示的直观形象的界面控制，系统运行平稳，可靠性高，拉晶工艺全过程直观显示，能实现从抽真空、检漏、炉压控制、熔料、稳定、溶接、引晶、放肩、转肩、等径、收尾、停炉全过程的自动控制。适用于20/22/24英寸热场，拉制6～12英寸无错位、等径度好的高质量单晶棒。单晶成晶率达80%以上。本设备配制高，关键件从美国及日本等引进，使用寿命长，维修率低，因此运行成本也低。TDR-JN系列全自动晶体生长炉主要由主机、加热电源、计算机控制系统三大部分组成。 1.主机部分： 机架，立柱。 双层水冷式结构炉体。 水冷式阀座。 晶体提升及旋转机构。 坩埚提升及旋转机构。 籽晶提拉和坩埚提升装置的水平调整装置。 氩气系统及配套件采用高品质的进口件。 高品质的真空系统，自动真空检漏及炉压控制。 水冷系统及过热保警装置。 炉压异常报警系统。 2.加热器电源： 全水冷电源装置采用必威体育精装版专利电源技术和/或原装进口IGBT及超快恢复二极管等功率器件，配以特效高频变压器，构成新一代高频开关电源。采用移相全桥软开关（ZVS）及CPU独立控制技术，提高了电能转换效率，不需要功率因数补偿装置，是传统晶闸管整流电源的更新换代产品。比传统电源节电20%。 3.单晶炉计算机控制系统； 计算机控制系统（包括触摸屏人机界面操作显示控制软件与PAC数字SCADA晶体生长过程控制软件）。 CCD测径系统ADC。 就地柜（包括分布式PLC、直流伺服电机调速器、传感器接口及加热器电源控制接口等硬件系统）。 控制柜（主PAC和触摸屏工业平板PC机，双显示屏，SCADA监控系统等）。 三、设备的主要技术参数 功 能 Function TDR85-JN TDR95-JN TDR105-JN 拉制晶棒直径 ingot Diameter 6/ 8 6.5/10 8/12 最大装料量 Maximum Charge Amount 95kg 120kg 150kg 可拉晶棒最大长度 Maximum Crystal length 2000mm 2000mm 1700mm 可用坩格规格 Recommended Crucible 20 20/ 22 22/ 24 晶体升降行程 Total Seed Travel 3400mm 3500mm 3700mm 晶体提升速度（低） Seed Slow Lift Speed 0.2～10.5mm/min 晶体提升速度（高） Seed High Lift Speed 500mm/min 晶体旋转速度 Seed Rotating Speed 2～40rpm 坩埚升降行程 Total Crucible Travel 400mm 坩埚升降速度（低） Crucible Slow Lift Speed 0.04～0.63mm/min 坩埚升降速度（高） Crucible High Lift Speed 150mm/min 功 能 Function TDR85-JN TDR95-JN TDR105-JN 坩埚