氮化铟镓多重接面太阳能电池的近场光学特性-德霖.PDFVIP

德霖技術學院 99年度補助校內教師專題研究計畫 成果報告 氮化銦鎵多重接面太陽能電池的近場光學特性 計畫編號 ：99獎校專研 -3 執行期間 ：99年4月日至1 99年9月30日 計畫主持人 ：陸念華 執行單位 ：光電工程系 中 華 民 國 9 9 年 1 2 月 2 3 日 1 中文摘要 以降低。此項技術是藉由將數個太陽能電 在本計畫中 ，短針型輕敲式音叉近場 池 ，亦即p-n 接面 ，串接起來形成 多重接 掃描光學顯微術將被利用來量測氮化銦 面 太陽能電池而達到高轉換效率 。多重接 鎵氮化鎵多重量子井以及/ 分佈式布拉格 面 太陽能電池中的每個電池稱為次電池 反 射 鏡 加 強 吸 收 基 板 （subcell ），其為由不同能隙的半導體材 (distributed-Bragg-reflector-enhanced 料所組成。次電池的排列順序為能隙最大 absorbing substrate, DBR-enhanced AS) 的材料放置在 多重接面太陽能電池的頂 AlGaInP發光二極體結構之橫切面的 光學 端 ，其將吸收太陽光譜中能量較高的光 特性。 子。能量小於頂端次電池之能隙的光子將 我們的實驗結果顯示近場光電流、近 會穿透到下一個次電池 ，此次電池其能隙 場 表面光電壓以及近場光致發光 為第二高 整個次電池的排列方式依此類， (near-field photoluminescence, NFPL)為有 推 。與單接面太陽能電池相比較 ，多重接 效的半導體檢測高解析度光學量測方法。 面 太陽能電池以此種方式可將整個寬廣 的太陽光譜切割成數個波段 ，而每個波段 都可以更有效率的被各別的次電池所吸 Abstract 收利用。 In this project, short-tip tapping-mode 研究目的及文獻探討 tuning fork near-field scanning optical microscope (TMTF-NSOM) was used to InGaN 材料在整個化合物的組成範 study the near-field optical properties of 圍內均為直接能隙 ，且藉由調整In 與Ga InGaN/GaN multi-quantum well and 的成份比例 ，其能隙可連續的由0.7 eV變 distributed-Bragg- reflector-enhanced absorbing substrate (DBR-enhanced AS) 化到 3.4 eV ，由於這個範圍含括了主要的 AlGaInP light-emitting diode (LED) 太陽能光譜因此利用， InGaN 製造高效率 structures. Our experimental results demonstrate that near-field photocurrent, 的太陽能光電池已成為近年來一項重要 near-field surface photovoltage, and 的研究課題 [1-7] 。 near-field photoluminescence are effective high resolution optical measurements for 雖 然 InGaN 這項新穎的材料具有上