氮化镓超晶格层利用不同长晶温度制作发光二极体特性之探讨与研究.PDFVIP

Nanometer-Scale Technology and Materials Symposium 2013 Changhua, Taiwan, 13, December 2013 氮化鎵超晶格層利用不同長晶溫度製作發光二極體特性之探 討與研究 李繼永 1 2 2 1 1* 黃雅庸 游宗吉 黃琪聰 柯鴻禧 1 南開科技大學多媒體動畫應用系 2 南開科技大學電子工程所 南投縣草屯鎮中正路568號 摘 要 以金屬有機物化學氣相沉積(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition ，MOCVD ）法成長氮 化鎵結構，在圖形化藍寶石基板(PSS)上沉積有機金屬，以成長為藍光二極體（Blue Light Emitting Diode ；BLED ）。過程中，探討N_GaN之超晶格層底層於不同的溫度下，利用MOCVD所製作 出的發光二極體，其各種效能受製程之影響。另以電激光量測儀量測出發光強度，膜厚儀量測 粗糙度和厚度，藉由螢光光譜儀量測出波長，X光繞射儀則量測半寬高，掃描式電子顯微鏡， 觀察有機金屬沉積在圖形化藍寶石基板上，其表面形態是否有沉積出缺陷。本研究中共採用三 種溫度分別為 1120 ºC 、1135 ºC及 1145 ºC ，三種溫度各做了10組MOCVD磊晶實驗，由實驗結 果對磊晶所反應之各種數據加以比較，更在產品良率的考量下，以1135 ºC的平均結果，獲得發 光強度為 137.6 mcd 、粗糙度－170 nm 、厚度是7.522 µm 、波長為447.2 nm 、半寬高是176.13 nm ， 是三種長晶溫度中，成效最佳的一種。而利用SEM 觀察沉積形態，也沒發現有高缺陷密度， 因此在N_GaN 超晶格層上，改變溫度是一項可以提昇發光強度的良好製程。 關鍵詞：氮化鎵，粗糙度，缺陷，磊晶 Explore the Characteristics of Light-Emitting Diode Developed by Growing GaN Superlattice Layer with Different Temperatures 1 2 2 1 1* CHI-YUNG LEE , YA-YONG HUANG , TSUNG- CHI YU , CHI-TSUNG HUANG AND HONG-HSI KO 1Department of Multimedia Animation and Application, Nan Kai University of Technology 2Department of Electronic Engineering, Nan Kai University of