wo3si-npa复合薄膜的电容湿度传感性能研究 investigation on capacitive humidity sensing properties of wo3si-npa composite thin film.pdfVIP

2007年第26卷第ll赣 传感器与徽系统(n8n胡ucerand辩icfosystem弧cllnologies)57 W03／Si-NPA复合薄膜的电容湿度传感性能研究术 冯眷岳1，肖 龙2，董永芬1，李新建’ (1．郑卅I大学物理系材料物理教育部重点实验室，河南郑州4S帅52； 2．海南职业技术学院机械电子工稷系+河南郑州45∞46) 摘要：制备了基于硅纳米孑L柱阵列(si—NPA)的w03／Si—NPA复合薄膜，并对其裘面形貌进行了表征，研 究了其电容湿度传感性能和基点电容的温度漂移。研究表明：w03／si-NPA继承了衬底si-NpA规则的阵 列结稳鳇浚嚣形貔褥缝，礤魄懿沉积形藏了连续的w嘞薄膜，w0。／si一瓣融是一辩典型的纳米复合薄膜。 室温下，w啦／si-NPA的电容值随测试频率的增加而单调减小，但其灵敏度则在lOOHz时达到最大值。在 此测试频率下，当环境的相对湿度从11％RH增加到95％RH时，元件的电容增量高达16000％，显示 wq／si-NPA对环境瀑发有较裹的灵敏疫。同时，电容的瀑度响应熬线显示出缀好的线性。对其基点魄 容的温度稳定性研究裘明：w镰／Si—NPA用侔瀑度传感的激佳工作瀑渡区为15—50℃。 关键词：硅纳米孔柱阵列；w03；w0。／si—NPA；电容式漱敏元件 中图分类姆：TP212 文献橼识码：A 文章编鼍：l000—9787(2007)ll～0057—04 T 』● ■● ●』● l ●1■■ ● ●● 0n nUmlnlty InVeSUgaU0nCaDaClUVe of IIllm木 W01／si。≥沼IAcomposite毫]瞰n FENG Xin-jianl Chun—yuel，XIAOI一0n92，DONGYong．fenl，LI ofMateriaI of (1．KeyLabo雌tory Phys瓶，DepanmentPhysics，Zhengzh栅Unive聪ity， z蠹e箨熊oH4弱龉2，Chi珏a；2．羚印a穗n强妻缱琰髓瓤粥融洳lIl耋e砖E矬瘿藏∞一硅g， He黼n oc明pationalTechIliqueCouege，Zhen擎hou45蝴6，C触豫) Abs枉act：冁e of anditssu趣ee eomposite她n￡lmW03／siliconnanoporous彝n8raH毽y(Si·NPA)isprepared ischaracterized．The andt|le d五fto￡ morphology capaeitivebnH娃ditysensiIlgprDpenieseap8citaneetempelialure arestudied．nisshownthat inheritesthe W03／Si-NPA W03／Si—NPA regularpiuararray，themo叩hological eharacteri8tic“si—NPAaeontinuousthinfilmisf0黝ed幻make a substrate，娃nd w03 w