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2017-09-02 发布于浙江
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IRG4IBC30S irf（IRG4IBC30S irf）

PD - 94293 IRG4IBC30S INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR FeaturesFeatures C Features FeaturesFeatures • Standard: Optimized for minimum saturation VCES = 600V voltage and low operating freqencies (1 kHz) • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than G VCE(on) typ. = 1.4V previous generation • Industry standard TO-220 Full-Pak E @VGE = 15V, IC = 18A N-channel Benefits • Generation 4 IGBTs offer highest efficiencies available • IGBTs optimized for specific application conditions • Designed to be a drop-in replacement for equivalent industry -standard Generation 3 IR IGBTs TO-220 Full-Pak Absolute Maximum Ratings Parameter Max. Units VCES Collector-to-Emitter Breakdown Voltage 600 V I @ T = 25°C Continuous Collector Current 23.5 C C I @ T = 100°C Continuous Collector Current 13.0 A C C ICM Pulsed Collector Current 68 ILM Clamped Inductive Load Current 68 VGE Gate-to-Emitter Voltage ± 20 V EARV