薄栅氧化层中陷阱电荷密度的测量方法!-物理学报.pdfVIP

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第卷第期年月物理学报薄栅氧化层中陷阱电荷密度的测量方法刘红侠郑雪峰郝跃西安电子科技大学微电子研究所西安年月日收到年月日收到修改稿提出了一种测量陷阱电荷密度的实验方法该方法根据电荷陷落的动态平衡方程利用恒流应力前后电容高频曲线结合恒流应力下栅电压的变化曲线求解陷阱电荷密度及位置等物理量给出了陷阱电荷密度的解析表达式和相关参数的提取方法和结果实验表明这种方法方便而且具有较高的精度关键词薄栅氧化膜经时击穿恒流应力陷阱电荷密度压的变化可以精确测量陷阱电荷密度及位置同时引言从应力前后栅电压改变量的正负还可

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 2 $##$ , , , NFA +2 MF + 1D4ODCP $##$ ( ) ###*-$#J$##$J2 # J#%-*#5 6.96 K0/)L.6 )LM

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