氮化蓝宝石衬底上GaN薄膜的微结构与光学性质.PDF

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2017-08-28 发布于天津
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氮化蓝宝石衬底上GaN薄膜的微结构与光学性质

23 2 Vol1 23 No.2 2002 4 CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE Apr. , 200 2 : 1000-7032(2002) 02-0124-05 氮化蓝宝石衬底上GaN 薄膜的微结构与光学性质 1,2 1 2 2 2 1 陈志忠 , 秦志新, 沈波, 朱建民, 郑有 , 张国义 ( 11 ; , 100871; 21 ; , 210093) : (TEM) , ( RD) (PL) GaN MOCVD , , RD (FWHM) 11d 15d , PL 100, : ; ; : TN3121 8 : A TEM 400kV JEOL 1 引言 JEM-4000E RD H-2H Ó D/ MA -RH , , (LED) (LD) 40kV, 150mA RD SIEMENS D5000 , [ 1] GaN 1 LD , , 40kV, 40mAPL GaN / 0 (YL) , 310nm , EG G Fluoro Max-2 , e [ 2~ 6] 3 结果与讨论 1GaN/ A-Al O 2 实验 2 3 TEM GaN GaN MOCVD ( SAED) , ,TEM GaN H 1 050e 10 : , ([8] 2 , ) , GaN/A-Al2O3 , A 180s, B , 50nmGaN 90s,520e 50nm GaN , 014Lm , 950e , Õ/ Ó ,/ 0, 3 000, 1Lm/ h , / 0 A B 111Lm 117Lm, , [ 7] ,, T EM , , ED GaN 504 , , 100Lm , dimple A B TEM ,