HBT产业发展现况-光电科技工业协进会.PDF

技術 動 態 技術 動 態 技術 動 態 HB T 產 業 發 展 現 況 HB T 產 業 發 展 現 況 HB T 產 業 發 展 現 況 文／蘇裕翔 前言 HBT 具 有 高 線 隨著無線通訊市場的高度發展 ，行動電話的需求日增 （圖 1） ，在 性 、高電壓降、 行動電話講求輕薄短小 、待機時間長的訴求下 ，HBT 具有高線性 、高 高 功 率 效 益 、 電壓降 （最高可達20 伏特） 、高功率效益 、最大頻寬可達 50GHz 、不 大 頻 寬 、 不 需 需要負極電壓 、低相位噪音等優點 ，適合行動電話功率放大器 （PA ） 要 負 極 電 壓 、 的用途 ，因此在無線通訊市場成為新寵。 低 相 位 噪 音 等 優 點 ， 在無 線 圖 1　全球行動電話產量 通 訊 市 場 成 為 單位：百萬個 新寵 。 700 600 500 400 300 200 100 0 1999 2000 2001 2002 2003 資料來源 ：Compound Semiconductor／PIDA 整理 砷化鎵微波元件 （GaAs ）因為電子有效質量較矽為小 ，所以其電 子遷移率 （Mobility ）也較矽元件高出很多 ，回顧其應用歷史，由早期 的金屬─半導體場效電晶體 （MESFET ） ，到高電子遷移率場效電晶體 （HEMT ） ，再演變到異質接面雙載子電晶體 （HBT ） ，如今已經在微 波系統的應用上已是一枝獨秀 ，成為無線通訊科技中重要的核心零件。 本文即就全球 HBT 產業發展現況作一描述 。 P I D A 光 連 雙 月 刊 第 34 期 2 0 0 1 . 7 48 技術 動 態 技術 動 態 技術 動 態 產業現況 目前砷化鎵晶圓以採用 3 吋 、4 吋生產線為主 ，且大都集中於歐美 地區之 IDM （整合元件製造）業者。近年來歐美 GaAs 廠商除積極擴 充產能 ，以及轉換生產線至 6 吋晶圓的規劃 ，並積極發展新材料及製 程技術 ，以擴大市場應用領域和改善元件效能表現。同時 ，經營上也 積極對外尋求合作夥伴 ，以提升市場之佔有率 ，以下將針對美國 、歐 洲 、台灣等地區之發展現況敘述如下 。 （一）美國 美國主要 GaAs 廠商均擁有 HBT 製造技術 ，各廠商也持續擴充產 能並投入先進技術的研發 。此外，定位於利基市場的 GaAs IC 設計公 司