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一种用于功率IC中高性能PNP管的版图设计
第 19 卷第 1 期 中 国 计 量 学 院 学 报 Vol . 19 No . 1 2008 年 3 月 J ournal of China J iliang U niver sit y Mar . 2008 【文章编号】(2008) 0 1007804 一种用于功率 IC 中高性能 PNP 管的版图设计 董艳燕 ( 中国计量学院 光学与电子科技学院 ,浙江 杭州 3 100 18) 【摘 要】 在对传统横向 PN P 管版图和晶体管寄生效应分析的基础上 ,提出了一种基于双极工艺的横向 PN P 管设计方案 ,并给出了一个适用于功率集成电路中高性能横向 PN P 输出管的版图设计. 【关键词】 功率集成电路 ;高性能 PN P 管 ;版图设计 【中图分类号】 TN40 1 【文献标识码】 A A layout design of the highperf ormance PNP transistor in the power IC DON G Yanyan ( College of Op tical and Elect ronic Science and Technology , China J iliang U niver sit y , Hangzhou 3 100 18 , China) Abstract : Ba sed on an analy si s of t raditional long PN P t ran si stors layout and it s p ara sitics , a design scheme of long PN P t ran si stor by bipolar t echnology i s p ropo sed . The realization of t he layout for highp erformance L PN P t ran si stor s of power IC i s offered . Key words : power IC ; highp erformance PN P t ran si stor ; layout design 高性能 PN P 管的研究一直是双极 bipolar 功 析如何减少晶体管的寄生参量 ,并设计了一个功 率集成电路中的热点问题 ,因为功率 IC 要有足够 率 IC 中高性能的横向LPN P 晶体管的版图. 高的输出功率 , 因此芯片输出部分必须有高增益 PN P 管[ 1] . 对于在单片集成电路上如何同时集成 1 传统横向 PNP 晶体管设计 [ 5 ] N PN 管和 PN P 管的研究 , 已经取得了很多的成 传统 LPN P 管 版图如图 1 , 图中 C 表示集 果[2 ] ,但具体考虑高性能的 PN P 管却很少 ,主要 电极 ,B 表示基极 , E 是发射极. 是因为在 bip olar 工艺的条件下 , 集成高性能的 P 型发射区和 P 型集电区是在进行 N PN 管 N PN 管又同时集成高性能的 PN P 管是非常难 基区扩散的同时形成的 ,集电区包围发射区是为 [3 ] [4 ] 了使得集电极能
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