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0.8微米薄膜工艺 LPCVD氮化硅模块 LPCVD氮化硅包括两种工艺：一次氮化硅和有源区氮化硅。 一次氮化硅用于自对准阱工艺的N阱局部氧化，在N阱扩散工艺时阻挡氧向P阱区域硅衬底扩散，抑制该区域氧化物的生长。 有源区氮化硅用于场隔离的局部氧化，在场氧工艺时阻挡氧向有源区硅衬底扩散，抑制该区域氧化物的生长。 LPCVD氮化硅采用ASM设备，以SiH2Cl2-NH3体系淀积，该方法淀积的氮化硅质量高，副产物少，膜厚均匀性好。其反应方程式为： 3SiH2Cl2+10NH3=Si3N4+6NH4Cl+6H2 反应温度为750-790℃，反应压力为350mTorr。 工艺要点： 炉管必须保持洁净。 炉温要有梯度以补偿工艺气体的消耗。 每炉装同样数量的硅片以保证重复性。 工艺规范： 氮化硅厚度：1500+/-150A 氮化硅折射率：2.00 颗粒：＜80个/片（＞0.3um） LPCVD多晶模块 LPCVD多晶模块用于制作多晶栅。 LPCVD多晶采用ASM设备，以硅烷热解法淀积，该方法淀积的多晶硅均匀性好，含氧量低，表面不易起雾。其反应方程式为： SiH4=Si+2H2 反应温度为620℃，反应压力为300mTorr。 工艺要点： 炉管必须保持洁净。 炉温要有梯度以补偿工艺气体的消耗。 每炉装同样数量的硅片以保证重复性。 工艺规范： 多晶硅厚度：3500+/-350A 颗粒：＜80个/片（＞0.3um） LPCVD二氧化硅模块 LPCVD二氧化硅用于制作LDD结构的二氧化硅侧壁。 LPCVD二氧化硅采用ASM设备，以正硅酸乙酯(TEOS)-氧体系热解淀积,该方法无毒无险。热解反应复杂，一种可能的全反应为： Si(OC2H5)=SiO2+4C2H4+2H2O 反应温度为710-740℃，反应压力为300mTorr。 正硅酸乙酯(TEOS)-氧体系热解淀积工艺具有极好的均匀性，其原因是淀积时硅片表面TEOS原子团的反应处于表面反应控制区，淀积速率完全由表面反应控制，与硅片表面的气体扩散无关。 该工艺的另一优点是淀积时表面吸附的原子团的表面迁移平均自由程要大于台阶尺寸，因此它具有极好的台阶覆盖，能保形淀积于深窄沟槽。 工艺要点： 炉管必须保持洁净。 炉温要有梯度以补偿工艺气体的消耗。 每炉装同样数量的硅片以保证重复性。 工艺规范： 二氧化硅厚度：3500+/-350A 二氧化硅折射率：1.45 颗粒：＜80个/片（＞0.3um） 金属前介质(PMD)模块 金属前介质(PMD)模块包括两种工艺：PECVD二氧化硅和PECVD硼磷硅玻璃。 PECVD二氧化硅用于隔离硼磷硅玻璃和下面的器件。 PECVD硼磷硅玻璃用于隔离金属Ⅰ和下面的器件，它对钠离子具有捕集、阻挡作用，它还能在900℃左右熔融回流，从而减缓布线台阶。 PECVD二氧化硅采用应用材料公司P5000PECVD设备，以正硅酸乙酯（TEOS）和氧气为原料淀积，其反应温度为430℃，反应压力为9Torr，射频功率为350瓦。 PECVD硼磷硅玻璃采用应用材料公司P5000PECVD设备，以正硅酸乙酯（TEOS），三甲基硼(TMB)，三甲基磷(TMP)和氧气为原料淀积，其反应温度为430℃，反应压力为7Torr，射频功率为375瓦。 工艺要点： PECVD具有负载效应，影响不同产品的薄膜厚度。 与磷硅玻璃相比，硼磷硅玻璃的回流温度可从1050度降至800到900度，从而减轻了杂质扩散。另外，硼磷硅玻璃所需的磷含量较低，降低了重掺杂磷硅玻璃侵蚀金属的可能性。 掺杂均匀性对片内，片间的回流特性十分关键。硼磷重量百分比相同的硼磷硅玻璃中，B2O3的浓度大约是P2O5的3倍。由于回流特性更多地取决于B2O3和P2O5的摩尔浓度，所以硼重量百分比变化对回流特性的影响大约是磷重量百分比变化的3倍。 生产工艺的可靠性需要稳定的硼磷硅玻璃。表面结晶或吸湿特性，未反应气体的混合和硼磷低阶氧化物的存在会导致杂质迁移，进而影响工艺可靠性。刚淀积的硼磷硅玻璃是不稳定的，需要立即致密。 工艺规范 PECVD二氧化硅厚度：2000A+/-200A PECVD硼磷硅玻璃厚度：6000A+/-600A PECVD二氧化硅湿腐蚀速率：＜2200A/min(6︰1 BOE) PECVD硼磷硅玻璃湿腐蚀速率：＜1500A/min(6︰1 BOE) PECVD二氧化硅台阶覆盖：＞50% PECVD硼磷硅玻璃台阶覆盖:＞45% PECVD硼磷硅玻璃硼磷含量：3.5wt%×5.5wt% 金属模块 金属模块包括两种工艺：金属1和金属2。 金属1用于接触和一次布线。 金属2用于通孔接触和二次布线。 金属工艺采用瓦里安公司3180溅射台完成，淀积温度200度，组分为AL-1%Si-0.5%Cu。 工艺要点： 溅射腔中的氧分压必须低于1uTor