GD32 VS STM32异同.pdfVIP

GD32 介绍与 STM32 兼容性汇总 一、 GD32 与 STM32 异同 1. 相同点 1) 外围引脚定义：相同型号的管脚定义相同 2) Cortex M3 内核：STM32F103 内核 R1P1 版本,STM32F205 内核 R2P1， （图 1.2）GD32 内核 R2P1 版本，此内核修复了以前的一些 bug 3) 芯片内部寄存器， 外部 IP 寄存器地址:逻辑地址地址相同，主要是根据 STM32 的寄存器和物理 地址，做的正向研发但是有些默认值不同，需要初始化善 4) 函数库文件：函数库相同，优化需要更改头文件 5) 编译工具：完全相同例如：keil MDK、IAR 6) 型号命名方式：完全相同 2. 外围硬件区别 1) 电压范围：GD32F： 2.0-3.6VSTM32F：2.6-3.6V （外部电压） GD32F： 1.2V STM32F： 1.8V （内核电压） 2) BOOT 0 管脚： Flash 程序运行时，BOOT0 在 STM32 上可悬空，GD32 必须外 部下拉 3) ESD 参数： STM32 人体模式 2KV,空气模式 500V GD32 人体模式 4KV,空气模式 10KV 3. 内部结构差别 1) 启动时间：GD32 启动设置时间稍长，延长上电时序 2) 主频时钟： GD32F10 系列高达 108MHZ STM32F10 系列只能 72MHZ 3) Flash 擦除时间： GD32 是 60ms/pag ，STM 30ms/pag 4) FLASH 容量： GD32 最大容量 3M 5) SRAM 空间： GD32F103 系列、GD32F105\107 系列 SRAM 96K 6) VB 外扩总线 FSMC：GD32 100PIN 配置总线输出，STM32 100PIN 并且 256k 以上 (图 1.5/1.6) 才配置总线输出 4. 功耗区别 (以 128k 以下容量的作为参考) （图片部分四 1.0、1.1） 1) 睡眠模式 Sl p： GD32F： 12.4mA STM32F： 7.5mA 2) 深度睡眠模式 D p Sl p： GD32F： 1.4mA STM32F： 24uA 3) 待机模式 Stand By: GD32F: 10.5uA STM32F: 3.4uA 4) 运行功耗： GD32F: 32.4mA/72M STM32F: 52mA/72M 5. 内部FLASH 区别 1) ISP： 擦写时间同STM32 有差异，使用新版软件 2) IAP： 擦写时间相同，按字写入，按页擦除 3) 存储寿命：10 万次擦写，数据保存 20 年以上 4) 加密特性：除了常规的禁止读出和 ID 号码加密之外，GD32 数据写入 Flash 时，有存储逻辑地址连续，物理地址不连续的特性 GD32 介绍与兼容性详析 1. 系统 1) 问题：STM32 晶振起振问题 原因 启动时间问题，GD32 与 STM32 在启动时间上存在差别，GD32 为了让 MCU 更 准确复位,将启动时间做了优化 解决方法 将宏定义： #define HSE_STARTUP_TIMEOUT ((uint16_t)0x05 ) 修改为： #define HSE_STARTUP_TIMEOUT ((uint16_t)0xFFFF)