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二氧化硅膜的制备
二氧化硅薄膜的制备及应用 ;摘要:;;1 二氧化硅薄膜的制备方法 ;1.1化学气相淀积（CVD）;;1.1.1等离子体增强化学气相沉积法 ;1.1.2光化学气相沉积法;2.1物理气相沉积(PVD);3.1 热氧化法;3.2 溶胶凝胶法;3.3 液相沉积法;4 二氧化硅（SiO2）薄膜的应用;微电子领域：; 和低耗电; 在机械性能方面具有高附着力和高硬度; 在化学性能方面要求耐腐蚀和低吸水性; 在热性能方面有高稳定性和低收缩性。目前普遍采用的制备介质层的SiO 2, 其介电常数约为4. 0, 并具有良好的机械性能。如用于硅大功率双极晶体管管芯平面和台面钝化, 提高或保持了管芯的击穿电压, 并提高了晶体管的稳定性。这种技术, 完全达到了保护钝化器件的目的, 使得器件的性能稳定、可靠, 减少了外界对芯片沾污、干扰, 提高了器件的可靠性能。 ;光学领域：; 中国工程物理研究院与化学所用溶胶凝胶法成功地研制出紫外激光SiO 2 减反膜。结果表明, 浸入涂膜法制备的多孔SiO 2 薄膜比早期的真空蒸发和旋转涂膜法制备的SiO 2 薄膜有更好的减反射效果。在波长350 nm 处的透过率达到98% 以上, 紫外区的最高透过率达到99% 以上。该SiO 2 薄膜有望用于惯性约束聚变( ICF) 和X 光激光研究的透光元件的减反射膜。目前在溶胶凝胶工艺制备保护膜、增透膜方面也取得了一些进展。此法制备的SiO 2 光学薄膜在惯性约束聚变的激光装置中已成为一种重要的手段, 广泛地应用于增透光学元件上, 如空间滤波器、窗口、靶室窗口或打靶透镜。在谐波转换元件KDP 晶体上用溶胶工艺镀制保护、增透膜, 能改善KDP 晶体的工作条件,提高谐波光束的质量与可聚焦功率。Thomas 用溶胶2凝胶工艺制备的增透膜和保护膜在美国洛仑兹·利弗莫尔国家实验室已使用多年。 ;其他方面：;谢谢观看
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