超洁净化技术的必威体育精装版动向-一丞冷冻工业股份有限公司.PDF

超潔淨化技術的必威体育精装版動向 原文刊載於一丞通訊VOL.26 1998.5. 1. 前言 西元2000 年計劃將採用300mm 晶圓（wafer ）生產容量256Mbit 的LSI ，由半導體廠商、 製造設備廠商和晶圓廠商等㆔個領域通力合作。導致LSI 原材料利用率降低的最主要因素是長期 間受塵埃粒子所影嚮。如何減少粒子污染是邁向潔淨化最重要的課題。具體而言，降低設備裝置 的發塵率，提昇洗淨技術都是為提高潔淨室（clean room ）的清淨度而努力。針對潔淨室清淨度 而言，經過努力的結果，在 1Mbit 的年㈹等級 1 （1/cf ，＞0.5um ）即所謂實現超潔淨（Super Clean ），在16Mbit 年㈹，可到達0.1 ，接著而來，256Mbit 的年㈹，必須考量到達0.01 ，依目 前狀況來看，應該是輕而易舉的事。 然而近年來，化㈻污染亦嚴重影嚮並且降低LSI 原材料利用率。本文即從潔淨室施工立場來 看，以化㈻污染為對象，概觀潔淨化技術的必威体育精装版動向。 2.化學污染的發生 化㈻污染如圖1 所示，區分為酸性氣體，鹼性氣體，揮發性硼（B ），磷（P ），㈲機氣體等。 發生源可由洗淨裝置、從業㆟員、建築材料、內裝材料與外部侵入等部份發生。對於這些化㈻污 染，無法以HEPA （High Efficient Particle Air filter ）（為除卻浮游塵埃而開發的高性能材料）去 除者，統稱氣體狀㈲害浮游物質。這些污染對生產會㈲某些程度的影嚮，酸性氣體（㈵別是HF 氟酸）會促使濾材材質產生B 揮發，而鹼性氣體對次世㈹塗料（resist ）的解像會產生障礙。 外氣入侵 硼（B ）、磷（P ）是決定矽性質（B 是 P FFU HEPA 過濾器 （酸、有機氣體） 型，P是 n 型）重要的元素，㊟入極微量即可 從內裝材料的揮發 從過濾器的揮發 機 調 空 精密㆞控制基板。然而㆒旦它們存在於環境㆗ (硼、磷、有機氣體) (硼) 時，B 、P 只要稍微㆞控制不當，就會發生LSI 從從操作者身上發生 從裝置洩漏 製品運作不良。而㈲機氣體會產生絕緣膜的耐 (氨) (氟酸、氨) 氣 外 壓降低或曝光裝置的鏡片模糊不清等阻礙，這 些障礙將慢慢形成具體的影嚮形態，在今㆝欲 圖1 化學污染和發生因素 安定生產LSI 的前題㆘，如何降低化㈻污染成 為極重要的課題。 3.化學污染的現狀和有關降低目標值的方案 事實㆖，在製造環境㆗存在多少化㈻污染的濃度呢？如圖 2 ㆗所報告，此值皆根據測定約 30 個點所得，故HF ，HCl ，NO ，SO ，NH 等都存在1ng/l ㊧㊨2~3 位數的誤差（HF 和NH X X 3 3 時，1ng/l≒1.3ppb）。 1 本資料由一丞冷凍工業股份有限公司提供 ） 2 m c