利用空气桥技术实现inp基共振遂穿二极管器件 realization of inp base resonant tunneling diodes through air-bridge technology.pdfVIP

下载本文档

4
0
约9.97千字
约 3页
2017-08-22 发布于上海
举报
版权申诉

利用空气桥技术实现inp基共振遂穿二极管器件 realization of inp base resonant tunneling diodes through air-bridge technology.pdf

1、有哪些信誉好的足球投注网站（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

利用空气桥技术实现inp基共振遂穿二极管器件 realization of inp base resonant tunneling diodes through air-bridge technology

第5期中固雹蔷纠躇石可宪F宪学1IR V01．4No．5 of 2009年10月 JournalCAEIT 0ct．2009 利用空气桥技术实现InP基共振遂穿二极管器件韩春林，邹鹏辉，高建峰，薛舫时，张政，耿涛，陈辰 (单片集成电路和模块国家级重点实验室南京电子器件研究所，南京210016) 绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。利用电子束光刻工艺和空气桥互连技术，制作了Imp基 RTD器件。并在室温下测试了器件的电学特性：峰值电流密度78kA／cm2，峰谷电流比(PVCR)为 7．8。利用空气桥互连技术实现该类器件，在国内尚属首次。关键词：共振遂穿二极管；电子束光刻；空气桥中图分类号：TN312．2文献标识码：A 文章编号：1673-5692(2009)05-516-03 RealizationofInP-baseResonant Diodes TunnelingThrough Air-bridgeTechnology HAN Chen Chun—tin，ZOU Peng—hui，GAOJian—feng，XUEFang—shi，ZHANGZheng，GENGTao，CHEN ofMonolithic CircuitsandModules ElectronicDevices (StateKeylaboratory Integated Nanjing Institute， Nanjing210016，China) resonant air teeh— Abstract：FabricatingIno．53Gao．47As／AIAs／InPtunnelingdiodes(RTDs)byusingbridge withelectronbeam hasbeenachieved．The oftheRTDwere nology lithographyprocessing epitaxiallayers on substratesmolecularbeam with current grown semi—insulating(100)InPby epitaxy(MBE)．RTDspeak of78KA／cB2 density and to currentratioof7．8havebeendemonstratedatlOOm peakvalley temperature． words：resonant beam Key tunnelingdiode；electron lithography；airbridge 且有高的峰值电流密度和低的峰值电压及超快的开 0 引言关特性∞】，表现出了很高的跨导、低噪声及极高的频率