法在的研究-无机材料学报.PDF

乞 , 第 卷 第 期 无 机 材 料 学 报 、 年 月 , 文章编号 一 一 一 用 法在 上生长 的研 究 杨 卫 桥 , 干福 熹 , 邓 佩 珍 , 徐 军 , 李抒智 , 张 荣 中 国科 院上 海 光 精 密机 械 研 究 所 , 上 海 京 大 学物 理 , 京 学 学 南 系 南 晶是 目 所 知 的 最 理 想 的 , 金属 沉 摘 要 单 前 为 衬底材料 本研 究用 有机物气相 积 法 在 衬底 上进行 了外 延生 长 膜 的试验 , 生长 出 了表面较 为 平整 的 外延膜 应用原子力显微镜 、 射线粉末衍射 和高分辨 射 线 双 晶衍射分别对衬底对外延膜和 衬底材料进行 了分析测 试 结果表 明, 用 法 可 以在 衬底上 生 长 出较高质量 的无掺杂 外延膜 但 由于 法是在 高 温还原气氛 中生 长 外延 膜 的, 在这种气氛 中不够稳定 , 实验发现衬底材料在 生 长过程 中部分样 品发生开裂 , 但没有发生相变 关 键 词 法 中图分类号 女献标识码 引言 、 在 半导体材料 的研 究和 应 用 方 面 , 作为继 第一代半导体材料 如 等 和 第 二代 半导 体材料 如 、 、 、 及 其合金 材 料等 之 后 的第三代 宽带 隙 的 半导 体材料正 成 为这 一研 究领 域 新 的热 点 为直 接跃迁 型 半导 体材料 , 带 隙宽度 为