CaOSnO2气敏薄膜最佳掺杂含量的理论计算.pdf

CaOSnO2气敏薄膜最佳掺杂含量的理论计算.pdf

  1. 1、本文档共3页,可阅读全部内容。
  2. 2、有哪些信誉好的足球投注网站(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
CaOSnO2气敏薄膜最佳掺杂含量的理论计算

第 4 期 26 真 空  VACUUM                   2002 年 8 月 CaO - SnO2 气敏薄膜最佳掺杂含量的理论计算 范志新, 潘晓春, 潘良玉 (河北工业大学文理学院, 天津 300 130) 摘 要: 本文介绍一个最佳掺杂含量表达式。应用此表达式定量计算了CaO SnO 2 薄膜乙醇气敏元件材料的 最佳掺杂含量。定量计算的结果与实验数据基本相符合。 关键词: 气敏元件; 晶体结构; 制备方法; 最佳掺杂含量; 理论计算 中图分类号: O 659. 3 1; O 484; TN 304; TB 43  文献标识码: A   文章编号:(2002) Theoret ica l ca lcula t ion of opt im um dop in g con ten t f or CaO - SnO 2 ga s sen sor f ilm s , , FAN Zh i x in PAN X iao chun PAN L ian g yu (S ch ool of A r ts S c ience, H ebe i U n iv ers ity of T ech nology , T ianj in 300 130, Ch ina ) A bstract: A n exp re ssion o f op t im um dop ing con ten t is in t rodu ced in th is p ap er an d u sed to ca lcu late th e op t im um dop ing con . ten t o f ca lcium ox ide dop ed stann ic ox ide ga s sen so r film s T h e qu an t itat ive ca lcu lat ion re su lt is in acco rdan ce w ith th e exp er i . m en ta l re su lt s : ; ; ; ; Key words ga s sen so r s cry sta l st ru ctu re p rep arat ion m etho d op t im um dop in g con ten t th eo ret ica l      ca lcu lat ion   氧化物半导体气敏材料及其敏感器件的研制与 质的影响, 长期以来, 人们都是单凭经验做实验, 确 生产已经有很长时间的历史了, 但如何提高传感器 定合理的掺杂含量, 并给出定性的理论解释, 没有关 对气体选择性和灵敏性仍在研究中。在这些研究中, 于最佳掺杂含量定量理论计算的研究报道。本文作 掺杂是提高各种气敏材料性能的永恒的课题, 而掺 者对氧化物半导体透明导电薄膜材料最佳掺杂含量 杂含量对气敏材料性能影响的研究又是这种研究中 问题作过定量理论计算研究, 给出了一个掺

您可能关注的文档

文档评论(0)

jiupshaieuk12 + 关注
实名认证
内容提供者

该用户很懒,什么也没介绍

版权声明书
用户编号:6212135231000003

1亿VIP精品文档

相关文档