华中科技电子显示技术07等离子体显示器工艺制造原理.pptVIP

第三章 等离子体显示板;PDP制造分为玻璃板制造，前后基板制造及装配等四大工艺，如图;3.5.1 玻璃板制造工艺 PDP用的苏打石灰玻璃基板，是采用浮法工艺制造而成的。 浮法工艺在窗玻璃等的制造中早已采用，无论从生产效率还是从产品质量上来讲，都是目前最好的，其工艺过程如下： ①首先，在熔炼窑中将玻璃原料熔化； ;3.5.2 AC型PDP前基板的制造工艺 3.5.2.1 透明电极的形成 要在玻璃基板上形成放电用的透明电极，先要在整个玻璃基板表面上沉积Sn02或ITO等透明导电膜，目前一般采用磁控溅射法进行沉积。; 溅射沉积的原理可参考下图。首先按一定比例,例如In2O3:SnO2为9:1,制成ITO靶。ITO靶可以比作水,带有一定能量的氩离子可以比作石块,将玻璃基板置于水(ITO靶）附近,当石块(氩离子)投入水(ITO靶)中时,会有水滴（ITO的构成原子)被溅射出,水滴(ITO的构成原子)飞向玻??基板,并以ITO膜的形式沉积在其表面上。;由磁控溅射法在整个玻璃基板上形成ITO膜之后，还要利用光刻法形成电极的图形。 光刻法的工序如下所述 ①在玻璃整个表面上形成的膜层表面上涂布光刻胶,所谓光刻胶是指紫外线感光性树脂,分紫外线照射硬化的负型和紫外线照射分解的正型两大类; ②中间经过掩模用紫外线照射光刻胶,使其曝光;;③将曝光后的玻璃基板浸入显影液中,去除未硬化的光刻胶(显像〉; ④经显像之后,位于残留光刻胶保护膜下面的ITO膜要保留,而没有光刻胶膜保护的ITO膜要用等离子体(干法)或蚀刻液（湿法）去除,即蚀刻; ⑤最后用等离子体或强碱溶液等将ITO膜之上的残留光刻胶去除。;另外,由于SnO2难以蚀刻,因此其电极要由填平法(lift-off,又称剥离法)来形成,填平法形成SnO2透明电极的工序如下:;③对曝光后的玻璃基板显像,此时去除需要形成SnO2膜的部位的光刻胶; ④经显像后,以残留的硬化光刻胶为模型,通过化学气相沉积(chemical vapor deposition,CVD)法形成SnO2的图形; ⑤最后,去除作为模型的光刻胶。;3.5.2.2 汇流电极的形成 透明电极形成之后，接着在其上形成汇流电极。汇流电极与透明电极成对引起气体放电，同时汇流电极还起着使透明电极线电阻下降的作用。 利用真空蒸镀或溅射镀膜形成Cr—Cu—Cr三层膜之后，可由前述的光刻法形成所需要的图形。此外，现在也在考虑利用其他的方法，例如采用其他金属做成感光浆料，这样可省去蚀刻工程。;真空蒸镀的原理如图所示。 在真空室中加热坩埚,使其中的镀料熔化蒸发,蒸发出的原子沉积在置于坩埚对面的相对较冷的玻璃基板上。根据镀料熔点、饱和蒸气压的不同及沉积速率的要求,可选用电阻蒸发源、电子束蒸发源、感应加热蒸发源等。真空蒸镀可在高真空下制取高纯度的膜层,但要想获得合金膜或化合物膜,还需要采取其他必要的措施。;3.5.2.3 透明电介质的形成 接着是形成透明介电质层。一般是将低熔点介电质玻璃做成浆料，利用全平面印刷法来形成。 3.5.2.4 封接层的形成 在透明介电质层上形成起封接密封作用的封接层，一般采用接触式印刷法或非接触的填注方式(dispenser);3.5.2.5 保护层的形成 前基板制造的最后一道工序是形成保护膜。从名称上看，该层是覆盖在电极之上，对其起保护作用的绝缘层。但其作用远不止如此，它还起阴极的作用，具有放出电子、维持放电状态、限制放电过流等许多重要功能。目前，保护层所采用的MgO膜是用电子束(electron beam，EB)加热真空蒸镀法形成的。应该说，PDP至关重要的保护层，目前无论从材料还是从工艺来讲，都还处于未完全确定的状态，有待今后进一步开发并采用新的材料、新的工艺等。;3.5.3 DC型PDP前基板的制造工艺 3.5.3.1 阴极的形成 在DC型PDP前基板的制造工程中，首先要形成阴极。阴极的作用是放出电子，而电子的作用是产生并维持气体放电状态。阴极材料采用Al粉与玻璃粉末及树脂混合配成浆料，再经印刷形成阴极，其膜厚一般在50μm上下。; 3.5.3.2 封接层的形成 在DC型PDP中，仅在前基板上由低熔点玻璃经印刷法形成封接层。前基板与后基板的间隙(gap)大约要保持200μm，因此在玻璃浆料中要混入直径大约为200μm的间隙颗粒。;3.5.4 AC型PDP后基板的制造工艺 3.5.4.1 数据电极的形成 在AC型PDP的后基板上，首先要形成5μm左右厚的数据电极。数据电极又称为扫描电极或选址电极，由Ag及Al等材料做成。也有的先在玻璃基板上印刷10μm左右厚的Si02膜，经烧成之后，