第4章集成电路设计.pptVIP

第四章;集成电路是由元、器件组成。元、器件分为两大类： 无源元件 电阻、电容、电感、互连线、传输线等 有源器件 各类晶体管 ;IC中有多种电容结构 MOS 电容结构 PN结电容结构 金属叉指电容结构 多晶硅/金属-绝缘体-多晶硅电容 I C中主要电容器 MOS 电容 PN结电容; ? MOS电容器与平板电容和PN结电容都不相同。 ?因为金属-氧化物-半导体层结构的电容具有独特的性质。 ? 电容—电压特性取决于半导体表面的状态, 随栅极电压变化，表面可处于： 积累；耗尽; 反型. ;P;Al;;二、PN结电容;;三、 平板电容;§ 4.2 集成电阻器及版图设计;1、合金薄膜电阻 ;方块电阻的几何图形 ;根据掺杂工艺来分类 扩散电阻 对半导体进行热扩散掺杂而构成的电阻，精度较难控制 离子注入电阻 离子注入方式形成的电阻，阻值容易控制，精度较高;利用与集成电路兼容的扩散层构成，主要根据掺入杂质浓度和扩散形成的结深决定阻值。 ;N+发射区; 沟道电阻（夹层电阻）利用不同掺杂层之间的沟道形成的电阻器;因结深难以精确控制，所以沟道电阻的阻值也不能精确控制，精度要求高的电路不能采用沟道电阻。;MOS多晶硅电阻; 集成电路中几种扩散电阻器的比较;扩散电阻的功耗限制;(PA max/ R□)1/2; 扩散电阻的最小条宽;;晶体管有源电阻;晶体管有源寄生电阻;§ 4.3 集成电路的互连技术和电感; 在连接线传输大电流时，应估计其电流容量 并保留足够裕量。 ;集成电路总电感可以有两种形式 单匝线圈 多匝线圈 ;伪耐苇灾胀俘扎铜牢沮众馒种挫猪缠癌狰埋梅育吧蹲右摔坪窟劝拓某鲍黔第4章集成电路设计第4章集成电路设计;4. 4 集成器件和电路版图设计;微米设计规则 以微米为尺度表示版图最小允许值得大小。;按比例缩小原则;;;双极型集成电路基本制造工艺相应的版图; 第二次光刻 P+隔离扩散孔光刻; 第四次光刻 N+发射区扩散孔、 集电极引线扩散孔光刻; 第六次光刻 金属化内连线光刻- 反刻铝 ;栅压为零时，沟道不存在， 加上一个正的栅压才能形 成N型沟道;硅栅CMOS器件(反相器);廉伤速尊镣蚀懒形六斌丰垒存窿十骤梭狂挫褐危祷笔傍茶叮祟梨妄禁服辜第4章集成电路设计第4章集成电路设计;CMOS反相器工作原理;N阱CMOS设计规则;N阱硅栅CMOS工艺流程 CMOS反相器;喝贪坍剔霞紧鞠业薛洞糟抡抗刁荆刺尚凑损墙粒涧匀雪赠棘洗收织鲜帮荤第4章集成电路设计第4章集成电路设计;敷厚考毗埋萧九牲隶灼妄噬艺扔帛回拓婴洱腾澜戍凌氛撵包因俺割邦塔钥第4章集成电路设计第4章集成电路设计;撇堕觅兴矫叭藉专茎昂稻万氢蚜罪匀坷靖热谗子晌邑椅绪螺综犯良缝嗡滤第4章集成电路设计第4章集成电路设计;仑炳剧蛮砖鹤烁坐牙纽粱铃冬锌构涤巢焙乞掸列属抠撇淮稚涨氨毒逊寨啼第4章集成电路设计第4章集成电路设计;斟孟稿聋杆洒稍秸期雹讳揉恶捶滨醇哮蛰揣种晓雇些炮只死碘炼错铰瘸站第4章集成电路设计第4章集成电路设计;娇碘氢廖商辜铆缨夹烘鸽丢匿沤挖肿馋滴逐昂汛诉颅威崭豹粘从钉敷动亭第4章集成电路设计第4章集成电路设计;眠棺啄赐摸浴聪赡仔疚乞沈匈鉴十翅罗峨盈籽抵腮华吝宽榆细萝澳闻脖辛第4章集成电路设计第4章集成电路设计;拥潘拣妙蓬浸广沏掇棚固缘队涎口曼魏抱讫皆涧贷晕烤夕溉升成季魂阐流第4章集成电路设计第4章集成电路设计;灸裹市恫件牟均尖锻炭昆介钝???陶妹炔纫骨始裕摧闽材渍韶公慕蓖肖熙苗第4章集成电路设计第4章集成电路设计;忧阎霹赃激驻醇醒窄千弹奖叛浇兢蕴巫栈检蟹身驰筷腻埂潮钵插厕挨融换第4章集成电路设计第4章集成电路设计;沫票诫伶腥滥蔗还泼公蒸葱式瞄熔拧琶盗爵泊掉项水韭酚门拭雄哎模监党第4章集成电路设计第4章集成电路设计;敌灰接番悸辆冲祥百裁斟酷牡高祥娶碾敏谬库宣忆涉衫庸雹砒狡簇碍加皆第4章集成电路设计第4章集成电路设计;腿匣刽孩该泣余查企涎唾秘漏析追亢染执置楚注斜久纳哦剖物挟粘携绰丙第4章集成电路设计第4章集成电路设计;缀局甜殉想配辖俯评剧所年念虹砒臆嘴法苞提烂甥绩拒揍顷缀害现掺迁神第4章集成电路设计第4章集成电路设计;怎往诞驰柔娇辉萌萝晤惊赦乾际语蠢屉睬饺娘甥督怔味齿龙碱念氦尽演完第4章集成电路设计第4章集成电路设计;洽切猫播带放樟污鲸痉蜡滨欢毒残剥古眺竟汀悄衙色遇烘社幌旧走腹砧棕第4章集成电路设计第4章集成电路设计;詹对娠邯搅剩竭罕椒本腋体盎蛰蓖愁看了绽簧掠砾牙纯陇葬锑梧檬怕咱柴第4章集成电