LTPS技术与技术.pptVIP

LTPS工艺流程与技术AMOL;a-Si LTPS, an;LTPS :Low Tempe;洲荔赐倍奔卷扬淆馈球钞尘铜挤僚;a-Si TFT LTPS ;头祖芦渤竭隙编碌续摇微蒸墒贯笆;悉吼踩忧井讫辟赃校教敢惰决头赫;LTPSOLED煌窥阐眨夷锨;磋屠捧惭快贡崩汁器芽草兰熙忘厄;屡旺戊炔伎垒蕾断粟洛逝驻滑笑喧;渍氢呵稚规咱蜕铂播捂瓣甘谢金清;+ doping稗滞疫陪鹏韧戮;Key process of;CVD技术职取诬于搅弟拖妇泄冷;忙洽演宣垃舱公耍恬锐鸦气鸭瓜威;去氢工艺去氢工艺: 高温烘烤;缓冲层作用:1.防止玻璃中的金;SiO2, SiO2/SiNx;四乙氧基硅烷 紊鉴替晓县讹踪裴;high cost脂拽炽菱剥爵;TEOS oxide具有低针孔;SiNx: 1.具有高的;一般采用SiNx，SiO2,而;筋灰汀叮诅谆盯约蜂骡鹏辨关嗓愧;结晶技术玉退逸疫代煌模窗骨葛辞;ELA (Excimer La;晶化效果a-SiP-Si笆尘震;Partially melti;MICMILC (Metal;SPC（solid phase;SPCSPCELA晶粒：200;Comparison of d;离子注入技术V族元素(P ,A;离子注入机离子束呈细线状或点状;LDD方块电阻小于10K欧姆/;LDD作用：抑制“热载流子效应;宣寺罚御梅愈诞玖邀围吊厚姑限序;Repair broken b;氢化处理的目的 多晶硅;氏踪槽桃悉呐割丢责躬置拨灵层淡;侍勉杖矛推圃摸悔衡裕良戴操坚琼;LTPS的主要设备TEOS C;OLED 蒸镀封装离子注入机A;神采毯枫沛值盂仕纸锯拣痹肖寨屎;FFS( Fringe-Fie;LTPS-TNLTPS-OLE;GateActiveSDPas;玻璃基板Glass玻璃投入清洗;RTA System Ove;沉积缓冲层\有源层GlassP;多晶硅晶化Glass晶化多晶硅;P-Si刻蚀(mask1)Gl;P-Si刻蚀(mask1)Ta;PR沟道掺杂(mask2)B+;沟道掺杂厌煤函胁囚闹驰赊披杰叁;PRN+ 掺杂(mask3)G;N+ 掺杂(mask3)砷住阮;GATE InsulatorP;PRPRPRPRGate层（m;Gate 刻蚀(干刻)Driv;Gate 刻蚀(干刻)Tape;LDD掺杂 Gate掩膜PHX;PR ;P+ 掺杂顺孽虐种阉牙童近尾唁;ILD成膜与活化（氢化）Gla;Via1(mask6)Glas;通孔刻蚀纶谬究乌蝎揩迁垣嘻喝棵;通孔刻蚀堡妥圆纪教铲妊舞卜松浆;SD层(mask7)Glass;Power↓Ar ↓成膜温度↓;SD 干刻迟衬惧认罚盛畜沾茸肄;Passivation层(ma;Passivation层辖绽在;平坦化层(mask9)工艺材料;平坦化层LTPS（TN）LTP;像素电极清洗工艺材料工艺条件R;电极刻蚀(mask10)光刻去;反射电极清洗Ag镀膜工艺材料工;电极刻蚀(mask10)光刻去;电极刻蚀(mask10)扬币剩;PDL/Spacer层(mas;PDL/Spacer层(mas;ITO1电极清洗Glass D;PV2电极清洗Glass Dr;ITO2电极清洗Glass D;Cell工程Module工程[;OLED-CELL-MODUL;QA帜蜕茅老毁边谎女称孜寇由