选择性生长技术制备gan薄膜的研究进展 the development of the study on selectively growth of gan.pdfVIP

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2017-08-18 发布于上海
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选择性生长技术制备gan薄膜的研究进展 the development of the study on selectively growth of gan

趋势熊羔笏选择性生长技术制备GaN薄膜的研究进展张帷，刘彩池，郝秋艳 (河北工业大学材料学院，天津300130) 摘要：Ⅲ族氮化物化合物半导体GaN是目前半导体领域的研究热点之一，具有宽禁带、高温下物理、化学性质稳定等特点，在光电子、微电子等领域有广泛的应用。降低缺陷密度制备高质量的GaN外延层是生产高性能和高寿命GaN器件的关键，也是人们始终致力于研究的内容，本讨论对近年来发展的一种采用选择性生长技术生长GaN的方法、原理、进展情况进行了介绍。关键词：氮化镓；外延；横向过生长；悬挂式外延生长中图分类号：TN304．054文献标识码：A The ofthe on Growth0fGaN DeVelopmentStudySelectiVely ZHANG Cai—chi，HAO Wei，LIU Qiu—yan sc据M 300130，醌iM) (sc胁of妒讹￡er如Ⅱzo蒯砌百Mr垤，哦妊‰五梆渺o，‰危加嘶，死。彬n Abstract： asone硝’theⅢ一nitride attractedinterestbecaused’ semiconductor，has Recently，GaN great in duetoitsmeritsof the amountof andIIlicmelectronicdeVicefield optoelectronic la唱e，di— large applications l_ect andchemical at theGaNdeVicewith bandgap，highphysics stabilityhightempennure．To‰ricate high of to electric andlifb mostcriticalmethodistodeducethe dislocations pIuperty perfb瑚aJlce，the density pIo- ducea GaN studiesareonthis ofGaNasanewscientific high—quality1ayer；somny field．selectiVelygm砒h and methodwas these andthe ofse一 method，theory technological developedduring years．The deVelopment weresumm撕zed． 1ectivelygr0砒h Keywords：GaN；epitaXial；1ateraloVe印卅h(ELo)；pendeo-epitaxy(PE) 光盘的读／写操作，粗略地估算，以InGaN蓝色激 1 引言