位错芯重构缺陷对于si中位错运动的影响 influence of reconstruction defects on dislocation motion in si.pdfVIP

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2017-08-18 发布于上海
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位错芯重构缺陷对于si中位错运动的影响 influence of reconstruction defects on dislocation motion in si

第卷第期半导体学报 27 11 VOl.27 NO.11 年月 2006 11 CHINESEJOURNAL OF SEMICONDUC ORS NOv. 2006 位错芯重构缺陷对于中位错运动的影响% Si ! 1 T 1 1 1 2 杨立军孟庆元李成祥钟康游果立成 C 哈尔滨工业大学航天科学与力学系哈尔滨 1 150001 C 哈尔滨工业大学复合材料与结构研究所哈尔滨 2 150001 摘要!为了研究晶格常数不匹配的异质结 / 生长过程中低温缓冲层内缺陷对位错运动的影响使用位错偶 Sige Si 极子模型在晶体内建立了一对部分位错和导致部分位错运动的弯结结构以及位错芯重构缺陷C 与 Si 30 30 RD 弯结组合而生成的弯结-RD结构通过分子动力学模拟使用. ParrnellO-Rahmman 方法施加剪应力促使位错运动得到了左右弯结结构在迁移过程中的种稳定构型并且使用方法和紧束缚势计算了纯弯结和弯结 -RD 8 NEB -RD 迁移过程中势垒高度发现弯结的迁移能力要高于纯弯结结构从模拟结果推断出低温层生长技术中的低 -RD . Si 温缓冲层由于低温限制了重构缺陷的运动减少其相遇发生湮灭的概率从而使得更多的弯结能够与重构缺陷结合生成弯结结构来提高部分位错的运动能力由此释放异质结结构失配应力所需的位错密度会随之减小 -RD 30