BiScO3GBiZnO3GPbTiO高居里温度压电陶瓷介电压电性能研究.PDFVIP

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2017-08-16 发布于天津
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BiScO3GBiZnO3GPbTiO高居里温度压电陶瓷介电压电性能研究

年第期( )卷０５１１６２０１６５４７文章编号: ( ) １００１Ｇ９７３１２０１６０５Ｇ０５１１６Ｇ０５ ( / / ) 高居里温度 BiScOＧBiZn Ti OＧPbTiO ３１２１２３３压电陶瓷介电压电性能研究∗ １２ , 张强李振荣　 ( , ; , ) 西安建筑科技大学功能材料研究所西安西安交通大学国际电介质中心西安１．７１００５５２．７１００４９ : ( ) ( ( ) ) ( ) . 摘要采用传统陶瓷工艺制备 / / 陶瓷试样研究　　１－xBiSc Zn Ti OＧxPbTiO BSＧ０．１BZTＧxPT ０．９１２１２０．１３３ ( ) , 、 . 了含量为摩尔分数时不同含量压电陶瓷结构介电和压电性能的变化规律 BZT ０．１％ PT BSＧ０．１BZTＧxPT , , ; , 研究表明随着含量增加试样从三方相向四方相转变当含量为之间时试样处在三方到四 PT PT ０．６０~０．６２ . , ( / , ). , 方的过渡区当量为时试样压电性能达到最大值当量增加试样居里 PT ０．６ d ＝２５０ CNk＝４３％ PT ３３ p p ２ , . , , / , 温度呈上升趋势值先增加后减小当含量为时试样铁电性能达到最大值 ε PT ０．６０ P＝３４．４ Ccm E＝