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锰的硅化物薄膜在Si100-2×1表面生长的STM研究-物理学报
Acta Phys. Sin. Vol. 61, No. 6 (2012) 066801 Si(100)-2 ×1 STM * 1) 1)2)† 1) 1)2) 1) ( , 200240 ) 2) ( , 200240 ) ( 2011 3 2 ; 2011 6 3 ) , . Si(100)-2 ×1 4 , 250—750 ◦C . , ; 290 ◦C , , ; 325 ◦C , MnSi ; 525 ◦C , , MnSi1.7 ; 600 ◦C , MnSi , MnSi1.7 . . 600 ◦C , Ostwald . : , , , Ostwald PACS: 68.37.Ef, 68.55.−a, 68.43.Jk 1 , , . [1−17]. , Si(100) : Lian [5] [1,2] . Si(100) Si(111) 300 ◦C , 30 nm , 300 1000 ◦C , MnSi1.7 . Wang [1] . MnSi , Wu [18,19] , 400 600 ◦C MnSi MnSi MnSi1.7 . Teichert [8,9] 400— , 750 ◦C MnSi1.7 , [3,4] . MnSi1.7 , . Lippitz [3] Si(100) [1,5], Hou [6,7] 1.5 (ML) , MnSi1.7 Seebeck 450 ◦C , 450—480 ◦C , . , MnSi Mn Si . Krause [10] Si(100) 5 3 0.2 ML 300— 700 ◦C , * (: (:
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