薄膜SO1材料MOSFET的高温泄漏电流-北京电子科技职业学院特色库.PDF

维普资讯 第18卷 第4期 固体电子学研究与进展 VoI．18．No．4 |998年 l1月 RESEARCHPROGRESSOFSSE Nov．．1998 薄膜 SO1材料MOSFET的高温泄漏电流 冯耀兰 南大学畿电子中心．南京．210096) 藕 改藕 温{量蒲电流研究的基础上 ．稞^研究了SOI材料MOSFET泄橱 电流的组成，解析式及高温模拟结果t并与体硅 MOSFET进行了比较．证明薄膜 SOI材料MOS FET的高温泄褥 电流 明显减小t因而在高温钡域 中有着广阔的应用前景 。 ^ 美键词 垫璧笠士堕 金■一氯化物一半导体场蚊应昌体管 高墨 垫苎皇堕 中用分类号：TN304．055 4 cs TheLeakageCurrentatHighTemperature f0rSoIM oSFETwithThin Silicon Film FengYaolan (MicroelectronicsCenter，SoutheastUniver~ty．Nanjing，210096，CHN) Abstract：Thecomponents，analyticalformulaandsimulationresultsofleakage currnetforSOIMOSFETsathightemperaturearedeeplystudiedonthebaseofthe investigationontheleakagecurrentathightemperatureforbulkSiMOSFETs．The resultsoftheeomparisionbetween thesetWOkindsofM OSFET provethatthe leakage currentofSOIM OSFETs wltb thin silicon film athigh temperature decreasessignificantly，SOIMOSFETsmightbewidelyused inthehigh tempera— turefieldinthefuture． KeyW ords：Thin Film SOI MOSFETs HighTemperature LeakageCur- rent 引 言 SOI(SilicononInsulator)是近十多年发展起来的一种新型硅膜技术，薄膜 SOI材料 MOSFET开启时 ，硅膜可全部耗尽而不依赖于背栅偏压 ，即硅膜厚度小于最大耗尽层厚度 。 与 体硅MOSFET相比，薄膜SOI材料 MOSFET的高温泄漏电流明显减小 ，阈值电压 随温度变 ·国家 自然科学基垒资助项 曰 维普资讯 416 固 体 电 子 学 研 究 与 进 展 18卷 化较小 J，引起 了人们的关注。 迄今为止，尽管有大量的文献介绍了SOI技术的研究成果和广泛应用 ，但在高温应用领 域的报道甚少，对于影响高温应用最主要的电学参数即泄漏电流深入研究更为鲜见。 本文将首先简介体硅 MOSFET高温泄漏电流的研究成果，然后将深入探讨薄膜 SOI材 料MOSFET在截止态和导通态泄漏 电流的组成、解析式及高温模拟结果．并与体硅MOS FET进行比较．显示出薄膜 SOI材料 MOS