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《集成电路制造工艺》单元设计6 教学单元名称：沟道效应及退火处理 授课班级 微电141、142 课时 2 授课地点 SB304 授课教师 余建 授课时间 第3周周三 5-6节 单元教学目标 能力目标 （1）掌握沟道效应产生的原因； （2）熟悉影响沟道效应形成的因素及消除措施； （3）能够采取有效措施，消除沟道效应的影响； （4）熟悉离子注入损伤的形成机理； （5）能够采取有效退火措施，消除离子注入损伤； 2、知识目标 （1）熟悉沟道效应产生的原因及其危害； （2）掌握消除沟道效应的有效措施； （3）理解离子注入损伤的形成原因； （4）熟悉常用的退火方式及各自优缺点； 3、素质目标 （1）培养学生分析问题和解决实际问题的能力。 （2）培养了学生初步的工艺分析能力和创新意识在工作过程中培养严谨细致的工作作风。 单元教学内容 1、明确教学目标 2、明确教学考核要求与方式 3、教学主要内容 3.1沟道效应的概念及其形成原因 3.2影响沟道效应形式的因素及其消除措施 3.3注入损伤的概念及其形成原因 3.4退火的类型及各自优缺点 3.5教学评价与反馈 单元教学重难点 教学重点： 1、影响沟道效应形成的因素 2、退火的有效措施； 教学难点： 1、沟道效应形成的原因及影响因素； 2、电子束退火的原理及过程； 单元教学方法选取 “启发式教学”（注重分析）、“项目分析式教学”（任务驱动、项目导向）“分组讨论”（学生）