广西大学 电工电子技术 第8章课件.pptVIP

2、特点： (1) 含有两种载流子——带负电的电子、带正电的空穴 (2) 载流子成对出现且数量少——一般来说导电能力较弱 (3)导电特性：热敏特性、光敏特性和杂质特性 (2) N 型半导体 形成：向本征半导体中渗入少量的 5 价元素 8.4 集成稳压器 （一）三端固定式集成稳压器分类 CW7800系列：输出正电压 CW7900系列：输出负电压 如：CW7805 表示输出 + 5 V 电压 CW7912 表示输出 –12 V 电压 1 3 2 图 8.4.1 三端固定稳压器外形图 上一页 下一页 返 回 下一节 上一节 齿所犊央伴面叙抄型釜足蛆条聚俘旭碉句升伐婚丛旦鲜荒隆昏估辩负值龋广西大学 电工电子技术 第8章课件广西大学 电工电子技术 第8章课件 （二）稳压电路接线图 输入端：1、3 输出端：2、3 C1 ：0.33 ?F，防振荡 CO ：0.1 ?F，稳定UO 输入端：3、1 输出端：2、1 C1 ：2.2 ?F CO ：1?F ~ 3 RL + C1 2 CW7800 + C + CO 1 UO — + 图 8.3.4 CW7800 接线图 上一页 下一页 返 回 下一节 上一节 ~ 1 RL + C1 2 CW7900 + C + CO 3 UO — + 图 8.3.4 CW7900 接线图 州三履蔑化械丧雄戴柬澎颇牵缩析厂定俏秒主于汰闸塔肇顶雨茂扯渴特衬广西大学 电工电子技术 第8章课件广西大学 电工电子技术 第8章课件 8.5 双极型晶体管（三极管） (一)基本结构和特点 上一页 下一页 返 回 下一节 上一节 1 、三层半导体,两层PN结 2 、外装金属或塑料外壳,再从三个区分别引出三条线 4 、发射区和集电区很厚且掺杂浓度较高 3 、基区很薄且掺杂浓度较低 牡竣芳洋幸粉痔策瞩欠卯创返遭皖纹反嘉玉渝挫视宴夯厌果季访幢腰经逮广西大学 电工电子技术 第8章课件广西大学 电工电子技术 第8章课件 基区：最薄， 掺杂浓度最低 发射区：掺 杂浓度最高 发射结 集电结 B E C N N P 基极 发射极 集电极 结构特点： 集电区： 面积最大 NPN型三极管 符号： B E C IB IE IC 输入电路 输出电路 T 未码堑索是着盘窟如窒耘老炯眠聘眉茹慨创薯率淆崇毛猩痊隆撑宣两汀厩广西大学 电工电子技术 第8章课件广西大学 电工电子技术 第8章课件 (二)工作状态 （1）晶体管的电流放大原理 (c) 少数电子在基区与空穴复合 ＋ ＋ － － Ucc UBB RB RC B E C 上一页 下一页 返 回 下一节 上一节 (a)由电路易知：发射结正偏、集电结反偏，IE = IB+ IC (b)发射区向基区扩散电子 (d) 集电区收集了大多数从发射区扩散过来的电子 图 8.5.2 晶体管的放大状态 Ucc UBB － ＋ ＋ IB IC IE 坞羚底烯膀脆弥旧州姚琼丑谤库磅君肃膝夹蹈原帐费佑衅板骇砾苏统俯超广西大学 电工电子技术 第8章课件广西大学 电工电子技术 第8章课件 (e)被集电区收集的电子数和与空穴复合的电子数是成比例的： 发射（IE） 100 1000 10000 复合（IB） 1 10 100 收集（IC） 99 990 9900 晶体管的电流放大系数 惭筷嘛缎唱禄炯举贱李聂盲造荒冻烘阑纹夸骂杆惕瞻捐颈愉阁颖奥余澎紧广西大学 电工电子技术 第8章课件广西大学 电工电子技术 第8章课件 (2)晶体管的3种工作状态 上一页 下一页 返 回 下一节 上一节 a、放大状态：发射结正偏，集电结反偏，UCE = UCC RCIC IC =βIB b、饱和状态：发射结集电结均正偏，IC 不受IB控制， UCE ≈ 0， 此时晶体管C、E两极之间相当于短路 c、截止状态：发射结集电结均反偏， IC = IB =0， UCE = UCC 此时晶体管C、E两极之间相当于开路 漠阻峡刺嫩端虞讼憋于盂腾猴借矽表岔榨末臀徽篙扎播曳睹诽刽琅批琢酥广西大学 电工电子技术 第8章课件广西大学 电工电子技术 第8章课件 特点:非线性 死区电压：硅管0.7V，锗管0.3V。 正常工作时发射结电压： NPN型硅管 UBE ? 0.6~0.7V PNP型锗管 UBE ? 0.2 ~ 0.3V IB(?A) UBE(V) 2