常压射频激励低温冷等离子体刻蚀光刻胶.pdfVIP

第 卷 第 期 半 导 体 学 报 S ? C.AaS [.a? ! ! ! ! ! ! 年 月 ! __V ? O0[+!+5HQP[@6H;!+B0H[DQ4HP! B#(a__V ! ! ! ! 常压射频激励低温冷等离子体刻蚀光刻胶 赵玲利 李海江 王守国 叶甜春 ! ! ! 中国科学院微电子研究所!北京 # T___T_ ! 摘要!介绍了一种新型的常压射频激励低温冷等离子体喷射装置!利用电流和电压探针研究了该等离子体的放电 特性!利用热电偶研究了喷射出的等离子体束流温度!得到其放电与传统的真空室中电容耦合放电具有一致的特 性 利用该等离子体装置在大气压下对 光刻胶进行了干法刻蚀实验!用电镜观察了刻蚀留胶前后硅表面的 a @:LLTZ 效果!研究了放电等离子体功率以及衬底温度对刻蚀速率的影响!在放电功率为 ?__7 时!得到刻蚀速率接近 $ V__1I I/1a 关键词!大气压%冷等离子体%光刻胶%刻蚀 % % C00 V‘V VZ_ L=T_; 中图分类号! 文献标识码! 文章编号! # 4[?_VU‘ @ _V?F=T‘‘__V_?F_ST?F_V ! ! ! ! ! ! 方去掉!而需要留下的胶要保持完好!显然采用湿法 引言 刻蚀就难以满足这个要求 近几年!以美国 P a 6H!@AF ! 国家实验室为代表的新型常压低温冷等离子 #I.* ( ) S T_ 在微电子器件的制造过程中!刻蚀光刻胶占有 体喷枪设备的研制成功 $ !大大提高了设备的放 很重要的地位!根据统计有三分之一的工艺都要用 电功率和束流喷口的直径!这将对微电子制造过程 到光刻胶刻蚀 目前!光刻胶的刻蚀主要有两种方 中刻蚀光刻胶的工艺带来新的变革 a a 法第一种是湿法如用 号液硫酸 双氧水 水#