无螺旋电感的小面积SiGeHBT宽带低噪声放大器-北京工业大学学报.PDF

第40卷第5期 北京工业大学学报 V01．40No．5 2014年5月 JOURNALOFBEIJINGUNIVERSITYOFTECHNOLOGY Mav2014 无螺旋电感的小面积SiGeHBT宽带低噪声放大器 赵彦晓，张万荣，谢红云，金冬月，丁春宝，郭振杰，高 栋 (北京工业大学电子信息与控制工程学院，北京100124) lownoise 摘要：设计了一款无螺旋电感的l～6GHz频段的小面积高性能SiGeHBT宽带低噪声放大器(wideband amplifier，WLNA)．采用具有优良阻抗匹配特性的共基放大器作为输入级，并采用噪声抵消技术抵消其噪声达到 输入噪声匹配；共射放大器作为输出级，有源电感替代螺旋电感实现电感峰化技术来扩展频带宽度、提高增益的平 0．35 SiGe 坦度．基于Jazz BiCMOS工艺，完成了版图设计，WLNA的版图尺寸仅为105 p,m p,m×115恤m，与使用螺 旋电感的WLNA相比，芯片面积大大减小．利用安捷伦公司的射频／微波集成电路仿真工具ADS进行了验证．结 果表明：该WLNA在1—6 dB，NF3．5 dB．对于设计应用于射频 GHz频段内，S：，16 dB，S1．一10dB，S22一10 前端的小面积、低成本、高性能的单片WLNA具有一定的指导意义． 关键词：SiGeHBT；有源电感峰化技术；噪声抵消支路；宽带低噪声放大器；射频前端 722．3 中图分类号：TN 文献标志码：A 文章编号：0254—0037(2014)05—0690—06 SmallAreaSiGeHBTWidebandLowNoise Amplifier WithoutInductor Spiral ZHAO Yan—xiao，ZHANG Chun—bao，GUO Wan—rong，XIEHong-yun，JINDong—yue，DING Zhen-jie，GAODong ofElectronicInformationandControl of 1001 (College Engineering，BeijingUniversityTechnology，Beijing24，China) 1—6GHz HBT Abstract：A inductorlessSiGe widebandlOWnoise smalldie amplifier(WLNA)with areaand was wascommon—basedwith highperformancepresented．Theinputstage amplifiersuperior thenoiseofthecommon-basewascancelled noise inputimpedancematching，and amplifier byusing cancellation