High-kmetalgate简章-国立交通大学电子工程系人才培训中心.DOC

課程名稱 (交大)High-k/metal gate 開課時數 12小時 上課費用 費用總計 10,000元（工業局補助 5,000元，學員自付 5,000元） 招收人數 預計招收學員60人，最低開班人數10人 開課日期 100年6月22日至6月30日 每週三、四 18:30~21:30 開課地點 交通大學（新竹市大學路1001號）工程四館（教室地點於課前另以行前通知公佈） 招生對象 半導體產業暨相關系統業者之在職人士或有相關技術需求者 結訓規定 本課程應配合事項：簽到/簽退*1、課程測驗*2 *1：核發「結訓證書」依據為出席率8成以上（憑簽到退表資料） *2：「課程測驗」僅實施但不列入結訓標準，以簡答、是非或選擇題方式進行 課程目標 本次課程首先介紹為什麼奈米元件必須放棄SiO2/poly結構而採用high-k/metal gate結構閘極工程的原因，說明金屬閘極工程的特點，並介紹high-k 必須要具有哪些特質，如何選取適當的high-k。經過哪些物理及電性的方法鑑定high-k才能跨過門檻。介紹high-k於記憶體方面的應用。還有探討high-k/metal gate目前的瓶頸及遭遇的問題，比較gate first 與gate last兩種工藝，探討各自可行性與優缺點。最後介紹目前所完成厚度最薄的high-k薄膜其背後的物理機制。此外，在元件尺寸縮小化的趨勢下，高階梯覆蓋性原子層沉積技術DRAM電容結構之孔洞填補能力外，亦可用於MEMS和奈米粒子等複雜結構所需之均勻薄膜覆蓋沉積。此外，本技術具有低製程溫度特性，故可於塑膠或有機材料上沉積薄膜，使得原子層薄膜沉積應用層面更加寬廣。 第一部份:（9小時）簡博士1.?Why we need high-k/metal gate? 2.?What kind of high-k? 3.?Characterization of high-k dielectric ? ? a. physical electrical techniques 4. High-k application in memory 5.Current issues in MOSFET ??? a. Charge trapping PIV measurement ??? b. Mobility degradation ??? c.?Interfacial layer and thermal stability ??? d.?untenable threshold voltage—fermi-level pinning 6. Gate first or gate last? 7. Doped high-k system 8. Summary 第二部份:（3小時）蘇博士 1.Introduction of ALD 2.Reaction process and mechanism 3.Materials for ALD purposes 4.Applications 5.Summary 授課師資 簡昭欣 教授(現職：國立交通大學電子所 教授 (經歷：國家奈米元件實驗室副研究員 (專長：先進奈米元件閘極工程之研究、有機薄膜元件及記憶體之研究、奈米微晶粒記憶體及其量子現象之探討、矽鍺與III-V化合物高遷移率元件 蘇俊榮 博士(現職：國立交通大學奈米中心 博士後研究 (專長：奈米材料與元件、半導體製程技術 交大電子系人才培訓中心課程報名表 ~請詳細填寫報名表格，以登錄資料入報名系統 課程名稱 (交大)High-k/metal gate 上課日期 100年6月22日至6月30日每週三、四 ＊中文姓名 ＊身分證字號製作證書用 ＊出生日期 民國 年 月 日(必填) ＊帳號(報名系統必填)請填可連絡之email敬請留意！課程訊息皆以email寄發，請務必留意信件 ＊密碼(必填)(請以英文與數字,不超過10字元) 連 絡 方 式 通訊地址： □同公司地址□□□ 住宅電話： □無，免填（ ） ＊公司名稱： ＊部門： ＊職銜： 公司地址： ＊公司電話： 傳真號碼： ＊手機： 訓練負責人/部門/連絡電話：(公司付費者必填) 訓練負責人Email： 費用 5,000 元整 ＊收據抬頭： □同公司名稱 □同個人姓名 繳費方式 □上課當天現場繳交 □電匯或轉帳