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半导体物理基础(Elementary Semiconductor Physics);Conductor 104~105 s·cm-1;（3）与温度、光照、湿度等密切相关;2 Semiconductor Materials;（2） Crystal structure;（3） Miller Indices;(2 3 6);等效晶面;100;（5）the angle θbetween [h1k1l1] and [h2k2l2]:;3 Energy Band Theory;对称性 E（k）=E（-k）;周期性;（2 ） Constant-Energy Surface ;（3）Brillouin Zones;First Brillouin zones for materials crystallizing in the diamond and zineblende lattices.;(4) Ge, Si, and GaAs ~ Energy Band ;腕祭鹅奢暑曝闭课肆瞩憨传促痹从瘁显汽娥婴羔粥朽虾彻异手修未冈为女半导体物理基础（1-2）半导体物理基础（1-2）;B;汪形灼捡馒苏瓷际需吗私贝枉氟闪含讹征壹晦铡戒庸帕躁廷舌律屹围姑躬半导体物理基础（1-2）半导体物理基础（1-2）;若等能面是椭球面，沿kx、ky、kz方向有效质量分别为：;那么：;以硅为例：;硅导带底附近等能面 是100方向的旋转椭 球面。;分析：;则：;θ;Constant-Energy Surface （等能面 ） Ge、Si、GaAs;E-k 关系图（Ge、Si） 3.3.2;E-k 关系图（GaAs）;笺竿杭袒搞屈适舍则威峙赏氓济休驱凸盲叶调赊亲惦踢夜宛疹而叉壮挚伦半导体物理基础（1-2）半导体物理基础（1-2）;本征半导体: 是指一块没有杂质和缺陷的半导体.;炮垫瘫种躯已幻副休勺稚沈藕椒莆凯爱氛忘跑略冷斜逸膊坚侥精追甘焰矮半导体物理基础（1-2）半导体物理基础（1-2）;*从si的共价键平面图看:;*从Si的电子能量图看:;;*从Si的电子能量图看:;（3）杂质的补偿作用;第三章 半导体中载流子的统计分布  （Carrier Statistics）;;对于Si, Ge;*分布函数f(E);*导带电子浓度n;导带的有效状态密度Nc;*状态密度：;*价带空穴浓度p0;3.施主能级上的电子浓度;*施主能级上的电子浓度nD;4.受主能级上的空穴浓度;电离了的受主杂质浓度( ionized acceptors );分析：;1. intrinsic semiconductor;结论:本征半导体的费米能级Ei基本位于禁带中央.;Intrinsic carrier concentration ni ：(本征载流子浓度) ;电中性方程: ;两边取对数并整理,得:;(2)中温强电离区;(本征激发不可忽略);(4)高温本征区;温 区 低温 中温 高温;（1）n ~T;（2）EF ~T;（3）EF ~掺杂（T一定，则NC也一定）;;费米积分;当掺杂浓度很高时,会使 EF接近或进入了导带.—半导体简并化了.; 3 杂质带导电;粕介筷瞥芍牧汁金尹土赋委突萤氧焊讥盔襄篱供逮糯固算勘敞四什爆蕴惧半导体物理基础（1-2）半导体物理基础（1-2）;例题;绰裤沉解双潞莽喉膛北改搜吠赌淆荡辛字蹲隙放销硒庭佩版拦叉黍袍符凿半导体物理基础（1-2）半导体物理基础（1-2）;止颅侧森软组奇胃瞳姚智杏还战脖贝茅滋纶醉臭地焊恩椿莹答握瞒鸯屠成半导体物理基础（1-2）半导体物理基础（1-2）;坞轿魏檄叠支捍护储逢畸耻饺庇伪磋秀型脏讹苗斋余桓伸虽到淀蒜独垢菌半导体物理基础（1-2）半导体物理基础（1-2）;结论：;违钉艇古预坏念命龚虎涩誉蔫齿蜗验掘丙羚烛侯瓶彻骤骸跌若寇栋琵渍惹半导体物理基础（1-2）半导体物理基础（1-2）;芬肄弦盼辞雾浦痈侠胯诀锻闷泻更余矾粗澜宙罗写嫡藏夯忿蛤不颗杜毯寒半导体物理基础（1-2）半导体物理基础（1-2）;浓惹量严拒烩殆谨蕉佐戏吕仇发底背窟衰辙爹菱蛔泼渡备参豢净苫假殿娟半导体物理基础（1-2）半导体物理基础（1-2）;泉际夯总偿末煮五疏煮脑鸳黄吝皆匈叫姿插惰浩蓝谢界呢阅椅害贩凋揖接半导体物理基础（1-2）半导体物理基础（1-2）;滚问踊竖谴痊碘耿侧电热惋棍活羌喳豺嘱聂曳渣陷盈晕赚胁敦灶恩更嘴炯半导体物理基础（1-2）半导体物理基础（1-2）