富硅氧化硅微盘的制备研究 fabrication of microdisk based on silicon rich silicon oxide.pdfVIP

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2017-08-13 发布于上海
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富硅氧化硅微盘的制备研究 fabrication of microdisk based on silicon rich silicon oxide

Ma料terials咿?珏■- 工艺Proc技ess a材nd T术e。dmk与tue doi：10．3969／j．issn．1003—353x．2010．09．011 富硅氧化硅微盘的制备研究陈曜 (广西大学物理科学与工程技术学院，南宁530004) 摘要：采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)及高温退火工艺制备了富硅氧化硅 am (SRSO)薄膜材料。喇曼光谱仪探测表明，该材料具有较高的光致发光(PL)效率，并在750 波长处达到发光峰值。采用电子束光刻(EBL)及电感耦合反应离子刻蚀(ICP)技术在Si衬底上制备了基于富硅氧化硅材料的光学微盘结构。为防止Si衬底的光吸收，在反应离子刻蚀 (RIE)系统中研究出一种各向同性的刻蚀工艺，有效使微盘与Si衬底分离。扫描电镜(SEM)探测表明，该工艺具有良好的尺寸控制及高稳定性。利用该工艺，成功制备了直径为4“m的富硅氧化硅微盘器件。关键词：富硅氧化硅；光致发光；各向同性；微盘；微加工中图分类号：TN305．7文献标识码：A FabricationofMicrodiskBasedonSiliconRichSiliconOxide ChenYao of 530004，China) (CollegePhysicsScience＆Technology，GuangxiUm钟rsity，Nanning richsilicon film PECVDand Abstract：Siliconoxide(SRSO)thin w聃preparedby hi【ghtemperature filmwas Raman with ofthethin detected photoluminescence(PL)efficiencyby spectrometer annealing．High emissionat750am basedontheSRSOthinfilmwasfabricatedonsiliconwafer peak wavelength．Microdisk electronbeam etch etch was to utilizing lithography(EBL)andtechnology．Anisotropicdry processdeveloped the this asilicon microdiskwith andsize pedestalsupporting hi【gh controllability．Byusing produce stability mic