复合多晶硅栅ldmos的特性研究 study on characteristics of a dual-material gate ldmos.pdfVIP

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2017-08-13 发布于上海
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复合多晶硅栅ldmos的特性研究 study on characteristics of a dual-material gate ldmos

器件制造与应团 ofDevit七 ^d缸Ⅱl】鼬曲埘雄andApplitmitm 复合多晶硅栅LDMOS的特性研究洪琪，陈军宁，柯导明，刘磊，高珊，刘琦 (安徽大学电子科学与技术学院，合肥230039) 工艺实现方法。此结构采用了栅工程的概念，所设计的栅电极由S．栅和D．栅两块电极并列组成，其中，S一栅采用功函数较高的P+多晶硅；D．栅采用功函数较低的n+多晶硅。MEDICI对n沟道而增加器件的跨导值，并且该结构在提高器件击穿电压的同时还能提高器件的截止频率。关键词：复合栅；截止频率；功函数；横向扩散金属氧化物；栅源电容；栅漏电容文献标识码：A 中图分类号：TN386．1 文章编号：1003．353X(2008)03．0227．04 onCharacteristicsofaDual-MaterialGateLDMOS Study Lei，GaoShan，Liu HongQi，ChenJunning，KeDaoming，Liu Qi ElectronicScienceand (School of Technology，AnhuiUniver碗y，凰卿230039，China) novel forRFfieldwas Abstract：ADMG-LDMOS(dual-material gate，LDMOS)structureplq)08ed theconcreterealizationmethodin oftheDMG-LDMOSconsistsofS-gate accompaniedby process．Thegate first 80urcewith work-functionmaterial second (the higll D—gate(thegate gateapproaching P+poly)and drain low material theeffective with work—function approaching n+poly)usingconcept“gateengineering”． MEDICIsimulationsrevealthattheDMG-LDMOSCUincreasethe ofelectroninthe The averagevelocity ina structurecanincreasethebreakdown transconductance．Meanwhile，this channel，resultinghigher andenhancethemaximumcut—off voltage frequency． words：dual-material